位置：首页 > IC中文资料第572页 > MRFE6S9125NB
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRFE6S9125NB | Single N-CDMA, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 800 MHz, 27 W Avg., 28 V | ETC 知名厂家 | ETC |   |
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common-source amplifier applicati | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | ||
封装/外壳：TO-272BB 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 66V 880MHZ TO-272-4 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
RF Power Field Effect Transistors 文件：492.77 Kbytes Page：16 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | ||
RF Power Field Effect Transistors 文件：916.5 Kbytes Page：23 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | |
MRFE6S9125NB产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRFE6S9125NB
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 HV6E 125W
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Freescale |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
FREESCALE |
24+ |
TO-59 |
500 |
价格优势 |
|||
FREESCALE |
24+ |
SMD |
1680 |
FREESCALE专营品牌进口原装现货假一赔十 |
|||
恩XP |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
FREESCALE |
23+ |
射频管 |
1100 |
原装全系列器件/手机:18124078320☑原装☑ |
|||
FREESCA |
18+ |
TO-272 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
FREESCALE |
23+ |
TO-252 |
38600 |
||||
FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
FREESCALE |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
FREESCALE |
2447 |
20 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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- MRM2-V
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- MRI2030
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- MRH31
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- MRGF16
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- MRG5902
- MRG5801
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- MRG1781
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- MRFE6S9200HSR5
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- MRFE6S9200HR5
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- MRFE6S9160HSR5
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- MRFE6S9160HR5
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- MRFE6S9135HSR5
- MRFE6S9135HSR3
- MRFE6S9135HR5
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- MRFE6S9130HSR5
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- MRFE6S9130HR3
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