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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF9030NBR1 | RF Power Field Effect Transistors RF Power Field Effect Transistors N- Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large- signal, common- source amplifier a | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRF9030NBR1 | RF Power Field Effect Transistors 文件：536.35 Kbytes Page：16 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | |
MRF9030NBR1 | 封装/外壳：TO-270-2 包装：散装 描述：FET RF 65V 945MHZ TO272-2 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF9030NBR1 | 封装/外壳：TO-270-2 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 945MHZ TO272-2 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF9030NBR1产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF9030NBR1
- 功能描述
IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列
-
- 产品目录绘图
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装
3,000
- 系列
-
- 晶体管类型
N 通道 JFET
- 频率
-
- 增益
- 电压 -
- 测试
-
- 额定电流
30mA
- 噪音数据
- 电流 -
- 测试
- 功率 -
- 输出
- 电压 -
- 额定
25V
- 封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
- 包装
带卷(TR)
- 产品目录页面
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
22+ |
TO272-2 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
恩XP |
23+ |
TO2702 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
恩XP |
22+ |
TO2702 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
Freescale |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
恩XP |
23+ |
高频管 |
12800 |
公司只有原装 欢迎来电咨询。 |
|||
恩XP |
2010 |
高频管 |
50 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
恩XP |
2023+ |
高频管 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
Vishay |
专业铁帽 |
CAN3 |
23 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
|||
MOT |
24+ |
800 |
MRF9030NBR1规格书下载地址
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- MRG1781
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- MRF962
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