型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MRF8S9202GN

Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 920-960 MHz, 58 W Avg., 28 V

ETC

知名厂家

RF Power Field Effect Transistors

文件:792.02 Kbytes Page:14 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

封装/外壳:OM-780-2 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 70V 920MHZ OM780-2G 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

920--960 MHz, 58 W AVG., 28 V SINGLE W--CDMA LATERAL N--CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for CDMA base station applications with frequencies from 920 to 960 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats. • Typical Single--Carrier W--CDMA Perfor

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power Field Effect Transistors

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF8S9202GN产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF8S9202GN

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHz 58W OM780-2G

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-12-30 19:25:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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