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MRF8S7170NR3

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

728-768 MHz, 50 W AVG., 28 V SINGLE W-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET Designed for base station applications with frequencies from 728 to 768 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats. • Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: V

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF8S7170NR3

封装/外壳:OM-780-2 包装:管件 描述:FET RF 70V 748MHZ OM780-2 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF8S7170NR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF8S7170NR3

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 HV8 700MHz 50W OM780-2

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-12-23 18:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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高频管
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高频管全新原装主营-可开原型号增税票
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