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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF8S23120H | RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 文件：449.89 Kbytes Page：14 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRF8S23120H | 2300-2400 MHz，28 W平均值，28 V LTE射频功率LDMOS | ETC 知名厂家 | ETC | |
RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 文件：449.89 Kbytes Page：14 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | ||
封装/外壳：SOT-957A 包装：管件 描述：FET RF 65V 2.3GHZ NI-780 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2300-2400 MHz, 28 W Avg., 28 V | ETC 知名厂家 | ETC | | |
RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 文件：449.89 Kbytes Page：14 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | ||
封装/外壳：NI-780S 包装：管件 描述：FET RF 65V 2.3GHZ NI-780S 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF8S23120H产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF8S23120H
- 制造商
FREESCALE
- 制造商全称
Freescale Semiconductor, Inc
- 功能描述
RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
2430+ |
高频管 |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
FREESCALE |
15+ |
高频管 |
219 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Freescale |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
FREESCALE |
23+ |
NI-400 |
50000 |
只做原装正品 |
|||
FREESCALE |
24+ |
145 |
现货供应 |
||||
FREESCALE |
23+ |
高频管 |
2719 |
原厂原装正品 |
|||
FREESCALE |
24+ |
SMD |
1680 |
FREESCALE专营品牌进口原装现货假一赔十 |
|||
FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
恩XP |
22+ |
NI780S |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
FREE |
专业军工 |
NA |
1000 |
只做原装正品军工级部分订货 |
MRF8S23120H规格书下载地址
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