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MRF8S21200HR6

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF8S21200HR6

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF8S21200HR6

封装/外壳:NI-1230 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI-1230H 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF8S21200HR6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF8S21200HR6

  • 功能描述

    射频无线杂项 HV8 2.1GHZ 48W NI1230HS

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 工作频率

    112 kHz to 205 kHz

  • 电源电压-最大

    3.6 V

  • 电源电压-最小

    3 V

  • 电源电流

    8 mA

  • 工作温度范围

    - 40 C to + 110 C

  • 封装/箱体

    VQFN-48

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-11-23 11:10:00
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