位置：首页 > IC中文资料第10848页 > MRF8S21100H
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF8S21100H | 2110-2170 MHz，24 W平均值，28 V单载波W-CDMA，LTE横向N信道射频功率MOSFET | ETC 知名厂家 | ETC |   |
RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 文件：447.93 Kbytes Page：15 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | ||
封装/外壳：SOT-957A 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI780H 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Single W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170 MHz, 24 W Avg., 28 V | ETC 知名厂家 | ETC | | |
RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs 文件：447.93 Kbytes Page：15 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | ||
封装/外壳：NI-780S 包装：托盘 描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI780S 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF8S21100H产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF8S21100H
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 HV8 2.1GHZ 100W
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
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晶体管 |
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