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MRF8S18260HR6

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs Designed for CDMA and multicarrier base station applications with frequencies from 1805 to 1880 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats. • Typical Single--Car

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF8S18260HR6

封装/外壳:SOT-1110A 包装:管件 描述:FET RF 2CH 65V 1.81GHZ NI1230-8 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

更新时间:2025-8-17 17:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FREESCALE
21+
NI-123
10000
全新原装现货
恩XP
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NA
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明嘉莱只做原装正品现货
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只有原装,原装,假一罚十
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2023+
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2020+
NI-780S
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
FREESCALE
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NI--1230S--8
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全新进口原装

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