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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF6S19200HSR3 | RF Power Field Effect Transistors 文件：409.39 Kbytes Page：12 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRF6S19200HSR3 | 封装/外壳：NI-780S 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 66V 1.99GHZ NI780S 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
MRF6S19200HSR3产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF6S19200HSR3
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 HV6 1.9GHZ 56W 28V NI780S
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
更新时间：2025-11-21 17:46:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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