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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MRF5S19150HR3 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs 1930-1990 MHz, 32 W AVG., 28 V 2 x N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications at frequencies from 1900 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for VDD = 28 Volts, IDQ = | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 |   | |
MRF5S19150HR3 | RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 文件：439.1 Kbytes Page：10 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | | |
MRF5S19150HR3 | 封装/外壳：SOT-957A 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 1.99GHZ NI-880 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | ETC 知名厂家 | ETC | |
RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET 文件：439.1 Kbytes Page：10 Pages | freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体 | |
MRF5S19150HR3产品属性
- 类型
描述
- 型号
MRF5S19150HR3
- 功能描述
射频MOSFET电源晶体管 HV5 32W N/CDMA
- RoHS
否
- 制造商
Freescale Semiconductor
- 配置
Single
- 频率
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益
27 dB
- 输出功率
100 W
- 封装/箱体
NI-780-4
- 封装
Tray
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCALE |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
FREESCALE |
24+ |
SMD |
1680 |
FREESCALE专营品牌进口原装现货假一赔十 |
|||
恩XP |
22+ |
NI880 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
FSL |
25+ |
SMD |
2789 |
全新原装自家现货!价格优势! |
|||
FREESCALE |
23+ |
NI-880 |
1200 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
FREESCALE/飞思卡尔 |
2023+ |
SMD |
1169 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
|||
MOTOROLA/摩托罗拉 |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
||||
MOTOROLA |
22+ |
control |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
FREESCALE |
22+ |
TO-272WB-4 |
2000 |
原装现货库存.价格优势 |
|||
FREESCALE |
2019+ |
SMD |
6992 |
原厂渠道 可含税出货 |
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