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MRF5S19100HR3

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies up to 1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical 2-Carrier N-CDMA Performance: VDD

MOTOROLA

摩托罗拉

MRF5S19100HR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1900 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. • Typical 2-Carrier N-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, ID

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF5S19100HR3

封装/外壳:NI-780 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 1.99GHZ NI-780 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF5S19100HR3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF5S19100HR3

  • 功能描述

    MOSFET RF N-CHAN 28V 22W NI-780

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2026-3-1 16:38:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FREESCALE
21+
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FREESCALE/飞思卡尔
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