型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MRF282ZR1

RF Power Field Effect Transistors

Designed for Class A and Class AB PCN and PCS base station applications with frequencies up to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications. • Specified Two-Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts Output Power ó 10 Watts PEP Power Gain ó 10.5 dB

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF282ZR1

封装/外壳:NI-200Z 包装:托盘 描述:FET RF 65V 2GHZ NI-200Z 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF282ZR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF282ZR1

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 RF PWR FET SOE PKG

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2025-8-7 11:47:00
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