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位置：首页 > IC中文资料第818页 > MRF281Z

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MRF281ZR1

RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

The RF Sub–Micron MOSFET Line RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for digital and analog cellular PCN and PCS base station applications with frequencies from 1000 to 2500 MHz. Characterized for operation Class A and Class AB at 26 volts

Motorola

摩托罗拉

MRF281ZR1

RF Power Field Effect Transistors

文件：282.21 Kbytes Page：8 Pages

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF281ZR1

封装/外壳：NI-200Z 包装：卷带（TR） 描述：FET RF 65V 1.93GHZ NI-200Z 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF281ZR1

2000 MHz, 4 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

ETC

知名厂家

281

Fuseholders - For MicroTM Fuse or Pico II Fuses

文件：181.26 Kbytes Page：1 Pages

Littelfuse

力特

281

High CMV, High Performance Isolation Amplifiers

文件：38.2 Kbytes Page：1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

281

Wiha Quality Tools Toll Free: (800) 494-6104

文件：122.23 Kbytes Page：1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

281

Wiha Drive-Loc VI Blades

文件：128.69 Kbytes Page：1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

281

High CMV, High Performance Isolation Amplifiers

文件：1.35272 Mbytes Page：6 Pages

INTRONICS

MRF281Z产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF281Z

  • 功能描述

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-200Z

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3（TO-236）

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

MRF281Z供应商更多...

更新时间：2025-12-27 17:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市佳鑫美电子科技有限公司
MRF281ZR1
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