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MRF21030LR5

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 2000 to 2200 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN--PCS/cellular radio and WL

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF21030LR5

封装/外壳:NI-400 包装:卷带(TR) 描述:FET RF 65V 2.14GHZ NI-400 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF21030LR5

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

ETC

知名厂家

MRF21030LR5产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF21030LR5

  • 功能描述

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-400

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2026-8-4 17:38:00
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