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MRF21010LR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular

Motorola

摩托罗拉

MRF21010LR1

RF Power Field Effect Transistors

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N- Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

MRF21010LR1

封装/外壳:NI-360 包装:散装 描述:FET RF 65V 2.17GHZ NI-360 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

ETC

知名厂家

MRF21010LR1

RF Power Field Effect Transistors

NJS

MRF21010LR1

RF Power Field Effect Transistors

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

RF Power Field Effect Transistors

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freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF21010LR1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF21010LR1

  • 功能描述

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-360

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装

    3,000

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    N 通道 JFET

  • 频率

    -

  • 增益

    - 电压 -

  • 测试

    -

  • 额定电流

    30mA

  • 噪音数据

    - 电流 -

  • 测试

    - 功率 -

  • 输出

    - 电压 -

  • 额定

    25V

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    带卷(TR)

  • 产品目录页面

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

更新时间:2025-10-14 14:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FREESCALE
23+
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12800
公司只有原装 欢迎来电咨询。
FREESCAL
09+
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22+
NI360
9000
原厂渠道,现货配单
24+
546
Freescale
24+
NI-360
1500
原装现货假一罚十
FSL
24+
NA/
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

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