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MRF19090R3

RF Power Field Effect Transistors

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for Class AB PCN and PCS base station applications with frequencies from 1900 to 2000 MHz. Suitable for CDMA, TDMA, GSM, and multicarrier amplifier applications. • Typical CDMA Performance: 1990 MHz, 26 Volts

FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

MRF19090R3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF19090R3

  • 制造商

    FREESCALE

  • 制造商全称

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述

    RF Power Field Effect Transistors

更新时间:2026-1-28 13:30:00
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