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MRF18085BR3

RF Power Field Effect Transistors

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications. • GSM and GSM EDGE Performance, Full F

Motorola

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更新时间:2025-10-5 18:00:00
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