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MPSW51G

One Watt High Current Transistors

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ONSEMI

安森美半导体

MPSW51G

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 包装:散装 描述:TRANS PNP 30V 1A TO92 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MPSW51G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MPSW51G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 1A 40V 1W PNP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-8-7 16:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
23+
TO-92-1W
10000
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ON
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TO-92
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TO-226-3 TO-92-3 长体
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