| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MPIC2151D | SELF–OSCILLATING HALF–BRIDGE DRIVER | ETC 知名厂家 | ETC |   |
SELF-OSCILLATING HALF-BRIDGE DRIVER SELF–OSCILLATING HALF–BRIDGE DRIVER TheMPIC2151 is a high voltage,high speed, self–oscillating power MOSFET andIGBT driver with bothhigh side and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologiesenable ruggedized monolith ic construction. The front–end f | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
FULL AUTOMATIC MULTISTANDARD CHROMA DECODER WITH EMBEDDED CHROMA DELAY LINE DESCRIPTION The STV2151 integrates in a single chip every circuitry to deliver the Y, R-Y, B-Y signals starting from a CVBS or Y/C signals. It can process PAL, SECAM and NTSC standards. | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
MONAURAL POWER AMP. & HEADPHONE POWER AMP. IC 文件：132.87 Kbytes Page：9 Pages | NJRC 日本无线 | | ||
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MONAURAL POWER AMP. & HEADPHONE POWER AMP. IC 文件：132.87 Kbytes Page：9 Pages | NJRC 日本无线 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT |
22+ |
NA |
20000 |
公司只有原装 品质保障 |
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25+ |
17ROHS |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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IR |
22+ |
DIP-8 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
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MOT |
24+ |
NA |
11000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
IR |
01+ |
DIP-8 |
3063 |
全新 发货1-2天 |
|||
MOT |
24+ |
DIP-8 |
5000 |
自己现货 |
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MOT |
25+ |
NA |
2730 |
||||
MOT |
23+ |
NA |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
MICROGATE |
20+ |
电感器 |
682000 |
电感原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
MOT |
21+ |
NA |
18 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
MPIC2151D规格书下载地址
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- MPJ3P
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- MPIR4040
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- MPIC2151
- MPIC2131P
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Microchip 的 PolarFire 是一款低功耗、多核 RISC-V SoC FPGA
2022-9-27MPM3620AGQV-Z,MPS代理商授权经销
MPS代理商授权经销，深圳市惊羽科技有限公司，刘先生:1314700-5145，QQ:43871025，货真价实，有问必回！
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2020-9-25MPM3632CGQV-Z,MPS代理商授权经销
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2020-9-25MPIC2130-3相桥驱动器
该MPIC2130是一种高电压，高转速，功率MOSFET和IGBT驱动器三个独立的高侧和低侧参考输出通道3相应用。专有的HVIC技术使坚固的单片建设。逻辑输入都采用5 V CMOS或LSTTL输出兼容。一接地参考运算放大器提供了一个模拟反馈的桥梁电流通过一个外部电流检测电阻。此次访问一个函数终止所有六路输出，也是来自这个电阻。开漏故障信号表明提供过流或欠压关断发生。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级设计最小驱动器跨导。传输延迟匹配简化使用在高频率的应用。浮动通道可用来驱动N沟道功率MOSFET或IGBT的中高端配置是从10到600伏特的电流。 •浮动通道操作
2013-2-7MPIC2112DW-高端和低端驱动器
MPIC2112是一种高电压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器与独立的高和低侧参考输出通道。专有的HVIC锁存免疫CMOS技术实现坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动程序设计交叉传导。匹配的传播延迟，以简化在使用频率高应用。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置经营从10至600伏。 •浮动通道引导操作设计 •全业务600 V •容错负瞬态电压 •的dV/ dt的免疫 R
2012-11-12
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