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MP6539BGF-Z

封装/外壳:28-SOIC(0.173",4.40mm 宽)裸露焊盘 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:100V, THREE-PHASE BLDC MOTOR PRE 集成电路(IC) 栅极驱动器

MPSMonolithic Power Systems Inc.

美国芯源美国芯源系统有限公司

MPS

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorDC/DCConverterApplications

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features •Small-sizedpackagewithtwoNPNtransistors(CPH3215equivalency)containedinonepackage •VCEO=30V,IC=1.5A •LowCollector-to-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.16V(typ.)@IC=0.75A •High-speedswitchingtf=30ns(typ.)@IC=0.75A

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

SANYO

BipolarTransistor30V,1.5A,LowVCE(sat)NPNDualCPH6

BipolarTransistor 30V,1.5A,LowVCE(sat)NPNDualCPH6 Features •Small-sizedpackagewithtwoNPNtransistors(CPH3215equivalency)containedinonepackage •VCEO=30V,IC=1.5A •LowCollector-to-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.16V(typ.)@IC=0.75A •High-speedswitchingtf=30ns(typ.)

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

BipolarTransistor30V,1.5A,LowVCE(sat)NPNDualCPH6

BipolarTransistor 30V,1.5A,LowVCE(sat)NPNDualCPH6 Features •Small-sizedpackagewithtwoNPNtransistors(CPH3215equivalency)containedinonepackage •VCEO=30V,IC=1.5A •LowCollector-to-EmitterSaturationVoltageVCE(sat)=0.16V(typ.)@IC=0.75A •High-speedswitchingtf=30ns(typ.)

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

PrecisionPotentiometer

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BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

Bourns

PrecisionPotentiometer

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BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

Bourns
更新时间:2025-8-4 14:36:00
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MPS(美国芯源)
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QFN-26(5MMX5MM)
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