具有过压钳位和输出电压上升斜率控制功能的 12V、5A、可编程限流开关管，采用 TSOT23-8 封装

MP5014A 是一款保护装置，用于保护输出端（源极）的电路不受输入端（VCC）瞬态的影响。此外，MP5014A 也可以保护 VCC 不受异常短路和源极瞬态影响。\n\n启动时，通过在源极限制输出电压上升斜率来限制浪涌电流。输出电压上升斜率由 DV/DT 上的小电容控制。通过 DV/DT 内部电路，此引脚可以浮空（无连接），并仍接收源极上 1ms 的斜坡时间。\n\n输出端最大负载为电流限值。这一限值通过利用采样 FET 拓扑来实现。限流值大小由 I-LIMIT 与 SOURCE 之间的外部电阻控制。\n\n由内部充电泵驱动功率器件的栅极，使得能够使用具有 36mΩ 极低导通电阻的 DMOS • 10 V 至 13.8 V 工作输入电压范围\n• 15 V 典型输出过压钳位\n• 22V 最大绝对电压\n• 输入欠压锁定保护\n• 启动时浪涌电流低\n• 集成 36mΩ 功率 FET\n• 使能/故障引脚\n• 可调输出电压上升斜率\n• 可调限流功能\n• 过温保护\n• 采用 TSOT23-8 封装;

12 V, 5 A, Programmable Current-Limit Switch with Over-Volatge Clamp and Slew-Rate Control in TSOT23-8

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丝印代码：AMJ；12 V, 5 A, Programmable Current-Limit Switch with Over-Volatge Clamp and Slew-Rate Control in TSOT23-8

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封装/外壳：SOT-23-8 薄型，TSOT-23-8 包装：卷带（TR） 描述：IC PWR SWTCH N-CHAN 1:1 TSOT23-8 集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器

封装/外壳：SOT-23-8 薄型，TSOT-23-8 包装：卷带（TR） 描述：IC PWR SWTCH N-CHAN 1:1 TSOT23-8 集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器

Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Lower gate charge is achieved by optimizing the manufacturing process to minimize Ciss and Crss. Lower gate charge coupled with Power MOS VITM optimized gate layout, delivers exceptionally

Dot Matrix LED

■ General Description Sharps dot matrix LEDs can express characters and symbols on a display. (Number of dots: 5✕7, 8✕8, 16✕16). We can supply wide color variation; high-luminosity red T series, yellow-green E series, sunset orange S series, dichromatic emission, etc.

Zener Diode, 1/2 Watt 짹5 Tolerance

Features: ● Zener Voltage 2.4 to 200V ● DO35 Package

Zener Diode, 300mW 짹5 Tolerance

Features: Zener Voltage 3.3V to 24V SOT–23 Type Surface Mount Package Absolute Maximum Ratings: Maximim Repetitive Peak Forward Current, IFRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250mA Maximim Repetitive Peak Working Current, IZRM . . . . . . . . . .. . . . . . . .

Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.

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