位置:首页 > IC中文资料第6306页 > MO1401A

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MO1401A

4.0\" SINGLE DIGIT LARGE NUMERIC DISPLAYS

\n

MICRO-ELECTRONICS

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetim

POLYFET

Silicon PNP epitaxial planer transistor

Silicon PNP epitaxial planer transistor For general amplification ■ Features ● Two elements incorporated into one package. (Emitter-coupled transistors) ● Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.

PANASONIC

松下

Silicon PNP epitaxial planer transistor

Silicon PNP epitaxial planar type For general amplification ■ Features • Two elements incorporated into one package (Emitter-coupled transistors) • Reduction of the mounting area and assembly cost by one half

PANASONIC

松下

Silicon NPN Phototransistors

文件:50.14 Kbytes Page:3 Pages

PANASONIC

松下

Power plug for the universal mains

文件:166.26 Kbytes Page:20 Pages

PHILIPS

飞利浦

MO1401A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MO1401A

  • 制造商

    MICRO-ELECTRONICS

  • 制造商全称

    Micro Electronics

  • 功能描述

    4.0 SINGLE DIGIT LARGE NUMERIC DISPLAYS

MO1401A数据表相关新闻

  • MOC207M

    MOC207M

    2023-6-21
  • MNS2-9-W2-TS-ST

    MNS2-9-W2-TS-ST

    2022-9-1
  • MOC211R2M 0N

    www.hfxcom.com

    2021-12-18
  • MOC208R1M全新原装现货

    可立即发货

    2019-9-24
  • MNLM136A-2.5V基准二极管,保证10万的RAD(四)经测试符合MIL-STD-883,方法1019.5

    一般描述 该LM136A - 2.5集成电路是一个2.5V的精密并联稳压器二极管。这单片集成电路工作电压基准作为一个低温度系数的2.5V的齐纳与 动态阻抗0.2欧姆。作者LM136A - 2.5第三终端允许参考 电压和温度系数要修剪容易。该LM136A - 2.5是作为精确2.5V低电压的数字电压表的参考价值,电源供应器或运算放大器电路。在2.5V可以方便地获得一个稳定的从5V逻辑电源参考。此外,经营作为分流自LM136A - 2.5稳压器,它可以被用作一个正或负电压基准。 生理盐水型号 LM136AH- 2.5 -贴片 L

    2013-3-17
  • MNLM129A-X-精密基准

    一般描述 该LM129是多方面的,当前的温度补偿的6.9V稳压管的参考与精密 10至100倍以上的分立二极管少动态阻抗。建于一单硅芯片,LM129使用有源电路来缓冲允许内部齐纳器件工作在0.5 mA至15毫安范围内几乎没有变化性能。该LM129是选择的温度系数为0.001可用,0.002,0.005和0.01%/ c.这些新的引用也有良好的长期稳定性和低噪音。齐纳击穿一个新的地下使用的LM129提供低噪声和更好的长期稳定性比coventional集成电路齐纳二极管。进一步Zener和温度补偿晶体管是由一个平面进程,以便他们有免疫问题困扰普通的齐纳二极管。例如,几乎没有在齐纳

    2013-3-17