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MNLM136A

2.5V REFERENCE DIODE, GUARANTEED TO 100K RAD(Si) TESTED TO MIL-STD-883, METHOD 1019.5

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国半

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N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FETs

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode MOSFETs . . . designed for wideband large–signal amplifier and oscillator applications up to 400 MHz range, in either single ended or push–pull configuration. • Guaranteed 28 Volt, 150 MHz Performance MRF136

MOTOROLA

摩托罗拉

POWER TRANSISTORS(8.0A,60-100V,70W)

PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 8.0 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60-100 VOLTS 70 WATTS

MOSPEC

统懋

2.5V REFERENCE DIODE

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MNLM136A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MNLM136A

  • 制造商

    NSC

  • 制造商全称

    National Semiconductor

  • 功能描述

    2.5V REFERENCE DIODE, GUARANTEED TO 100K RAD(Si) TESTED TO MIL-STD-883, METHOD 1019.5

更新时间:2026-8-4 17:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MAG LAYERS/美磊
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PANASONIC/松下
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QFP
50000
全新原装正品现货,支持订货

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    MN101AF68G,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-6-2
  • MNLM136A-2.5V基准二极管,保证10万的RAD(四)经测试符合MIL-STD-883,方法1019.5

    一般描述 该LM136A - 2.5集成电路是一个2.5V的精密并联稳压器二极管。这单片集成电路工作电压基准作为一个低温度系数的2.5V的齐纳与 动态阻抗0.2欧姆。作者LM136A - 2.5第三终端允许参考 电压和温度系数要修剪容易。该LM136A - 2.5是作为精确2.5V低电压的数字电压表的参考价值,电源供应器或运算放大器电路。在2.5V可以方便地获得一个稳定的从5V逻辑电源参考。此外,经营作为分流自LM136A - 2.5稳压器,它可以被用作一个正或负电压基准。 生理盐水型号 LM136AH- 2.5 -贴片 L

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    一般描述 该LM129是多方面的,当前的温度补偿的6.9V稳压管的参考与精密 10至100倍以上的分立二极管少动态阻抗。建于一单硅芯片,LM129使用有源电路来缓冲允许内部齐纳器件工作在0.5 mA至15毫安范围内几乎没有变化性能。该LM129是选择的温度系数为0.001可用,0.002,0.005和0.01%/ c.这些新的引用也有良好的长期稳定性和低噪音。齐纳击穿一个新的地下使用的LM129提供低噪声和更好的长期稳定性比coventional集成电路齐纳二极管。进一步Zener和温度补偿晶体管是由一个平面进程,以便他们有免疫问题困扰普通的齐纳二极管。例如,几乎没有在齐纳

    2013-3-17