型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The 8810 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product 8810 is Pb-free (meets RO

TUOFENG

拓锋半导体

Thermally Conductive Adhesive Transfer Tapes

文件:175.98 Kbytes Page:7 Pages

3M

N-channel power MOS field effect tube

文件:270.42 Kbytes Page:1 Pages

FUMAN

富满微

Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

文件:973.56 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:1.37293 Mbytes Page:4 Pages

HOTTECH

合科泰

更新时间:2025-10-23 9:14:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
2009+
SMD
5872
普通
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
24+
N/A
78000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
INFINEON/英飞凌
25+
NA
283
全新原装正品支持含税
TI/德州仪器
23+
SOT23-5
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
VBSEMI/台湾微碧
24+
MSOP-8
60000
XX
25+
TSSOP8
10000
全新原装现货库存
INFINEON
23+
BGA
7000
FUJITSU
24+
SOP-16
3500
原装现货,可开13%税票
INFINEON/英飞凌
BGA
22+
7420
原装正品现货 可开增值税发票

MN8810BS数据表相关新闻

  • MMSZ5249BT1G 只有原装现货,无其它

    MMSZ5249BT1G 只有原装现货,无其它

    2025-2-19
  • MNS2-9-W2-TS-ST

    MNS2-9-W2-TS-ST

    2022-9-1
  • MMZ25332B4T1

    https://hch01.114ic.com/

    2020-11-13
  • MN101AF68G

    MN101AF68G,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-6-2
  • MNLM129A-X-精密基准

    一般描述 该LM129是多方面的,当前的温度补偿的6.9V稳压管的参考与精密 10至100倍以上的分立二极管少动态阻抗。建于一单硅芯片,LM129使用有源电路来缓冲允许内部齐纳器件工作在0.5 mA至15毫安范围内几乎没有变化性能。该LM129是选择的温度系数为0.001可用,0.002,0.005和0.01%/ c.这些新的引用也有良好的长期稳定性和低噪音。齐纳击穿一个新的地下使用的LM129提供低噪声和更好的长期稳定性比coventional集成电路齐纳二极管。进一步Zener和温度补偿晶体管是由一个平面进程,以便他们有免疫问题困扰普通的齐纳二极管。例如,几乎没有在齐纳

    2013-3-17
  • MNLM136A-2.5V基准二极管,保证10万的RAD(四)经测试符合MIL-STD-883,方法1019.5

    一般描述 该LM136A - 2.5集成电路是一个2.5V的精密并联稳压器二极管。这单片集成电路工作电压基准作为一个低温度系数的2.5V的齐纳与 动态阻抗0.2欧姆。作者LM136A - 2.5第三终端允许参考 电压和温度系数要修剪容易。该LM136A - 2.5是作为精确2.5V低电压的数字电压表的参考价值,电源供应器或运算放大器电路。在2.5V可以方便地获得一个稳定的从5V逻辑电源参考。此外,经营作为分流自LM136A - 2.5稳压器,它可以被用作一个正或负电压基准。 生理盐水型号 LM136AH- 2.5 -贴片 L

    2013-3-17