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Common-DrainDualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription The8810usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas1.8V.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications.ItisESDprotected. StandardProduct8810isPb-free(meetsRO

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司

TUOFENG

DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET

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HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd.

合科泰深圳市合科泰电子有限公司

HOTTECH

DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-channelpowerMOSfieldeffecttube

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FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd.

富满微富满微电子集团股份有限公司

FUMAN

ThermallyConductiveAdhesiveTransferTapes

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3M

3M Electronics

3M
更新时间:2025-6-2 17:38:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
富满
TSSOP8
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    MN101AF68G,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-6-2
  • MNLM129A-X-精密基准

    一般描述该LM129是多方面的,当前的温度补偿的6.9V稳压管的参考与精密10至100倍以上的分立二极管少动态阻抗。建于一单硅芯片,LM129使用有源电路来缓冲允许内部齐纳器件工作在0.5mA至15毫安范围内几乎没有变化性能。该LM129是选择的温度系数为0.001可用,0.002,0.005和0.01%/c.这些新的引用也有良好的长期稳定性和低噪音。齐纳击穿一个新的地下使用的LM129提供低噪声和更好的长期稳定性比coventional集成电路齐纳二极管。进一步Zener和温度补偿晶体管是由一个平面进程,以便他们有免疫问题困扰普通的齐纳二极管。例如,几乎没有在齐纳

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  • MNLM136A-2.5V基准二极管,保证10万的RAD(四)经测试符合MIL-STD-883,方法1019.5

    一般描述该LM136A-2.5集成电路是一个2.5V的精密并联稳压器二极管。这单片集成电路工作电压基准作为一个低温度系数的2.5V的齐纳与动态阻抗0.2欧姆。作者LM136A-2.5第三终端允许参考电压和温度系数要修剪容易。该LM136A-2.5是作为精确2.5V低电压的数字电压表的参考价值,电源供应器或运算放大器电路。在2.5V可以方便地获得一个稳定的从5V逻辑电源参考。此外,经营作为分流自LM136A-2.5稳压器,它可以被用作一个正或负电压基准。生理盐水型号LM136AH-2.5-贴片L

    2013-3-17