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MOSFETP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheAM3407usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. TheAM3407isavailableinSOT-23package. FEATURES VDS=-30V,ID=

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创瑞科技AiT创瑞科技

AITSEMI

MOSFET-30VP-CHANNELENHANCEMENTMODE

DESCRIPTION VDS=-30V VGS=±20V ID(A)=-4.3A RDS(ON)=38mΩ(Typ.)@VGS=-10V RDS(ON)=58mΩ(Typ.)@VGS=-4.5V TheAM3407AisavailableinSOT-23package. FEATURES ⚫AvailableinSOT-23package APPLICATION ⚫PortableEquipment ⚫PowerManagement ⚫LoadSwitch

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

创瑞科技AiT创瑞科技

AITSEMI

-4.1A竊?30VP-CHANNELMOSFET

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KIAKIA Semiconductor Technology

可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司

KIA

Heyco®PGandMetricThreadedPlugs

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海科

Heyco

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HeycoHeyco.

海科

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更新时间:2025-6-8 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
AIT-
24+
NA/
16274
原装现货,当天可交货,原型号开票
AIT-IC
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880000
明嘉莱只做原装正品现货
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7800
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NK/南科功率
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986966
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    https://hch01.114ic.com/

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  • MN101AF68G

    MN101AF68G,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-6-2
  • MNLM129A-X-精密基准

    一般描述该LM129是多方面的,当前的温度补偿的6.9V稳压管的参考与精密10至100倍以上的分立二极管少动态阻抗。建于一单硅芯片,LM129使用有源电路来缓冲允许内部齐纳器件工作在0.5mA至15毫安范围内几乎没有变化性能。该LM129是选择的温度系数为0.001可用,0.002,0.005和0.01%/c.这些新的引用也有良好的长期稳定性和低噪音。齐纳击穿一个新的地下使用的LM129提供低噪声和更好的长期稳定性比coventional集成电路齐纳二极管。进一步Zener和温度补偿晶体管是由一个平面进程,以便他们有免疫问题困扰普通的齐纳二极管。例如,几乎没有在齐纳

    2013-3-17
  • MNLM136A-2.5V基准二极管,保证10万的RAD(四)经测试符合MIL-STD-883,方法1019.5

    一般描述该LM136A-2.5集成电路是一个2.5V的精密并联稳压器二极管。这单片集成电路工作电压基准作为一个低温度系数的2.5V的齐纳与动态阻抗0.2欧姆。作者LM136A-2.5第三终端允许参考电压和温度系数要修剪容易。该LM136A-2.5是作为精确2.5V低电压的数字电压表的参考价值,电源供应器或运算放大器电路。在2.5V可以方便地获得一个稳定的从5V逻辑电源参考。此外,经营作为分流自LM136A-2.5稳压器,它可以被用作一个正或负电压基准。生理盐水型号LM136AH-2.5-贴片L

    2013-3-17