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N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs

Features  Advanced Trench MOS Technology  100 EAS Guaranteed  Super Low RDS(ON)  Green Device Available Applications  MOTOR Driver.  BMS.  High frequency switching and synchronous rectification.

FETEK

台湾东沅

N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs

Features Advanced Trench MOS Technology  100 EAS Guaranteed  Super Low RDS(ON)  Green Device Available Applications  MOTOR Driver.  BMS.  High frequency switching and synchronous rectification.

FETEK

台湾东沅

N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs

Features Advanced Trench MOS Technology  100 EAS Guaranteed  Super Low RDS(ON)  Green Device Available Applications  MOTOR Driver.  BMS.  High frequency switching and synchronous rectification.

FETEK

台湾东沅

N-channel 100 V, 0.0036 Ω typ., 110 A, STripFET™ F7 Power MOSFET in a TO-220 package

Features • 100 avalanche tested • Ultra low on-resistance Applications • Switching applications Description This N-channel Power MOSFETs utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low onstate resistance, while also reducing internal c

STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 110A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3.9mΩ(Max)@ VGS= 10V DESCRIPTION · Switching Applications

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-31 23:01:01
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    https://hch01.114ic.com/

    2020-11-13
  • MN101AF68G

    MN101AF68G,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-6-2
  • MNLM136A-2.5V基准二极管,保证10万的RAD(四)经测试符合MIL-STD-883,方法1019.5

    一般描述 该LM136A - 2.5集成电路是一个2.5V的精密并联稳压器二极管。这单片集成电路工作电压基准作为一个低温度系数的2.5V的齐纳与 动态阻抗0.2欧姆。作者LM136A - 2.5第三终端允许参考 电压和温度系数要修剪容易。该LM136A - 2.5是作为精确2.5V低电压的数字电压表的参考价值,电源供应器或运算放大器电路。在2.5V可以方便地获得一个稳定的从5V逻辑电源参考。此外,经营作为分流自LM136A - 2.5稳压器,它可以被用作一个正或负电压基准。 生理盐水型号 LM136AH- 2.5 -贴片 L

    2013-3-17
  • MNLM129A-X-精密基准

    一般描述 该LM129是多方面的,当前的温度补偿的6.9V稳压管的参考与精密 10至100倍以上的分立二极管少动态阻抗。建于一单硅芯片,LM129使用有源电路来缓冲允许内部齐纳器件工作在0.5 mA至15毫安范围内几乎没有变化性能。该LM129是选择的温度系数为0.001可用,0.002,0.005和0.01%/ c.这些新的引用也有良好的长期稳定性和低噪音。齐纳击穿一个新的地下使用的LM129提供低噪声和更好的长期稳定性比coventional集成电路齐纳二极管。进一步Zener和温度补偿晶体管是由一个平面进程,以便他们有免疫问题困扰普通的齐纳二极管。例如,几乎没有在齐纳

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