型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MMVL3700

SURFACEMOUNTPINDIODE

FEATURES •Highreversebreakdownvoltage(200Vmin) •Verylowseriesresistanceat100MHz(0.7Ωtypical@IF=10mA) •Longminoritycarrierlifetime(Trr=300nstypical) •Lowcapacitance(0.5pFtypical@VR=20V) •Surfacemountpackageideallysuitedforautmaticinsertion •Pbfreeproduct

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT

SURFACEMOUNTPINDIODE

FEATURES •Highreversebreakdownvoltage(200Vmin) •Verylowseriesresistanceat100MHz(0.7Ωtypical@IF=10mA) •Longminoritycarrierlifetime(Trr=300nstypical) •Lowcapacitance(0.5pFtypical@VR=20V) •Surfacemountpackageideallysuitedforautmaticinsertion •Pbfreeproduct

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT

SURFACEMOUNTPINDIODE

FEATURES •Highreversebreakdownvoltage(200Vmin) •Verylowseriesresistanceat100MHz(0.7Ωtypical@IF=10mA) •Longminoritycarrierlifetime(Trr=300nstypical) •Lowcapacitance(0.5pFtypical@VR=20V) •Surfacemountpackageideallysuitedforautmaticinsertion •Pbfreeproduct

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT

HighVoltageSiliconPinDiode

ThesedevicesaredesignedprimarilyforVHFbandswitchingapplicationsbutarealsosuitableforuseingeneral–purposeswitchingcircuits.Theyaresuppliedinacost–effectiveplasticsurfacemountpackageforeconomical,high–volumeconsumerandindustrialrequirements. •LongReverseRecove

LRCLeshan Radio Company

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

LRC

SURFACEMOUNTPINDIODE

FEATURES •Highreversebreakdownvoltage(200Vmin) •Verylowseriesresistanceat100MHz(0.7Ωtypical@IF=10mA) •Longminoritycarrierlifetime(Trr=300nstypical) •Lowcapacitance(0.5pFtypical@VR=20V) •Surfacemountpackageideallysuitedforautmaticinsertion •Pbfreeproduct

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT

SURFACEMOUNTPINDIODE

FEATURES •Highreversebreakdownvoltage(200Vmin) •Verylowseriesresistanceat100MHz(0.7Ωtypical@IF=10mA) •Longminoritycarrierlifetime(Trr=300nstypical) •Lowcapacitance(0.5pFtypical@VR=20V) •Surfacemountpackageideallysuitedforautmaticinsertion •Pbfreeproduct

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PANJIT

HighVoltageSiliconPinDiode

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

封装/外壳:SC-76,SOD-323 包装:卷带(TR) 描述:RF DIODE PIN 200V 200MW SOD323 分立半导体产品 二极管 - 射频

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

封装/外壳:SC-76,SOD-323 包装:卷带(TR) 描述:RF DIODE PIN 200V 200MW SOD323 分立半导体产品 二极管 - 射频

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

HighVoltageSiliconPinDiode

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

TYPENBULKHEADJACK,REARMOUNT

ELECTRICAL: IMPEDANCE:50OHMS VOLTAGERATING:1500VOLTSPEAK FREQUENCYRANGE:DC~3GHz DIELECTRICWITHSTANDINGVOLTAGE:2500VOLTSRMS DURABILITY:>500CYCLE CABLERETENTION:>40POUNDSPULL MISCELLANEOUS: APPLICATION:LMR195,RG58CABLE. COMPONENTSSHALLBEINDIVIDUALLYPACKAGED

L-COMInfinite Electronics International, Inc.

英飞畅苏州英飞畅贸易有限公司

L-COM

NANDP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

文件:91.45 Kbytes Page:8 Pages

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

A-POWER

NANDP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

文件:142.46 Kbytes Page:10 Pages

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

A-POWER

NANDP-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

文件:141.72 Kbytes Page:8 Pages

A-POWERAdvanced Power Electronics Corp.

富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司

A-POWER

PrecisionPotentiometer

文件:189.45 Kbytes Page:1 Pages

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

Bourns

MMVL3700产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMVL3700

  • 制造商

    PANJIT

  • 制造商全称

    Pan Jit International Inc.

  • 功能描述

    SURFACE MOUNT PIN DIODE

更新时间:2025-7-30 15:32:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
24+
SOD-323
6000
进口原装正品假一赔十,货期7-10天
ONS
23+
SOD-323
63000
原装正品现货
ON
23+
SOD323
2540
原厂原装正品
ON/安森美
23+
SOD-323
50000
原装正品 支持实单
ON/安森美
24+
SOD-323
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
原厂
2021+
60000
原装现货,欢迎询价
ON
2020+
SOD323
20
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
SOD-323
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
ON/安森美
22+
SOT23
25000
只有原装原装,支持BOM配单
TI
25+
SON8
6223

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  • MMSZ5249BT1G 只有原装现货,无其它

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    2025-2-19
  • MMZ25332B4T1

    https://hch01.114ic.com/

    2020-11-13
  • MMSZ5243BT1

    MMSZ5243BT1,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-4
  • MN101AF68G

    MN101AF68G,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2020-6-2
  • MMSZ5248BT1G

    MMSZ5248BT1G

    2019-11-15
  • MNLM129A-X-精密基准

    一般描述该LM129是多方面的,当前的温度补偿的6.9V稳压管的参考与精密10至100倍以上的分立二极管少动态阻抗。建于一单硅芯片,LM129使用有源电路来缓冲允许内部齐纳器件工作在0.5mA至15毫安范围内几乎没有变化性能。该LM129是选择的温度系数为0.001可用,0.002,0.005和0.01%/c.这些新的引用也有良好的长期稳定性和低噪音。齐纳击穿一个新的地下使用的LM129提供低噪声和更好的长期稳定性比coventional集成电路齐纳二极管。进一步Zener和温度补偿晶体管是由一个平面进程,以便他们有免疫问题困扰普通的齐纳二极管。例如,几乎没有在齐纳

    2013-3-17