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MMBV3102LT1	Silicon Tuning Diode 22 pF(Nominal) 30Volts VOLTAGE VARIABLE CAPACITANCE DIODES This device is designed in the Surface Mount package for general frequency controland tuning applications. It provides solid–state reliability in replacement of mechanical tuning methods. • High Q with Guaranteed Minimum Va	LRC 乐山无线电	LRC
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MMBV3102LT1	Silicon Tuning Diode 文件：119.64 Kbytes Page：3 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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MMVB3102LT1G供应商更多...

更新时间：2025-10-28 16:42:01

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深圳市振宏微科技有限公司	MMBV3102LT1,PTVS10VP1UP,H2907ASJ	SOT-23	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
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MMSZ5249BT1G 只有原装现货，无其它
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2025-2-19
MMZ25332B4T1
https://hch01.114ic.com/
2020-11-13
MMSZ5243BT1
MMSZ5243BT1 ，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-11-4
MN101AF68G
MN101AF68G，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-6-2
MMSZ5248BT1G
MMSZ5248BT1G
2019-11-15
MNLM129A-X-精密基准
一般描述该LM129是多方面的，当前的温度补偿的6.9V稳压管的参考与精密 10至100倍以上的分立二极管少动态阻抗。建于一单硅芯片，LM129使用有源电路来缓冲允许内部齐纳器件工作在0.5 mA至15毫安范围内几乎没有变化性能。该LM129是选择的温度系数为0.001可用，0.002，0.005和0.01％/ c.这些新的引用也有良好的长期稳定性和低噪音。齐纳击穿一个新的地下使用的LM129提供低噪声和更好的长期稳定性比coventional集成电路齐纳二极管。进一步Zener和温度补偿晶体管是由一个平面进程，以便他们有免疫问题困扰普通的齐纳二极管。例如，几乎没有在齐纳
2013-3-17