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MMUN2213L价格

参考价格：￥0.0435

型号：MMUN2213LT1G 品牌：ON 备注：这里有MMUN2213L多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMUN2213L批发/采购报价，MMUN2213L行情走势销售排行榜，MMUN2213L报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MMUN2213L

NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

文件：111.11 Kbytes Page：12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2213L

Digital Transistors (BRT) R1 = 47 k, R2 = 47 k

文件：141.51 Kbytes Page：12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2213L

Digital Transistors (BRT)

文件：145.73 Kbytes Page：12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2213L

NPN 双极数字晶体管 (BRT)

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2213LT1

NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consistin

Motorola

摩托罗拉

MMUN2213LT1

Bias Resistor Transistor

NPN Silicon Surface Mount Transistor with Monolithic Bias Resistor Network This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisti

LRC

乐山无线电

MMUN2213LT1G

Digital Transistor

Features © Epitaxial planar die construction © Builtin biasing resistors (Ry: 47k, Rs: 4740) Also avaiable in lead free version ® RoHS compliant with Halogen-free

TECHPUBLIC

台舟电子

MMUN2213LT1

Bias Resistor Transistor

文件：104.94 Kbytes Page：12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2213LT1

Bias Resistor Transistor

文件：100.37 Kbytes Page：12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2213LT1

包装：剪切带（CT） 描述：TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2213LT1

TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2213LT1G

Bias Resistor Transistor

文件：100.37 Kbytes Page：12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2213LT1G

Bias Resistor Transistor NPN Silicon Surface Mount Transistor

文件：177.51 Kbytes Page：18 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2213LT1G

Digital Transistors (BRT)

文件：145.73 Kbytes Page：12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2213LT1G

NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

文件：111.11 Kbytes Page：12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2213LT1G

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2213LT1G

数字三极管

ONSEMI

安森美半导体

MMUN2213LT1G

Digital Transistors (BRT) R1 = 47 k, R2 = 47 k

文件：141.51 Kbytes Page：12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2213

FEMALE THREADED STANDOFFS

[KEYSTONE] THREADED STANDOFFS

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2213

FEMALE THREADED STANDOFFS

[KEYSTONE] THREADED STANDOFFS

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2213

high Current Toroid Inductors

[J.W.Miller]

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2213

Bandpass Filter

文件：15.59 Kbytes Page：1 Pages

KR

2213

Universal Bushings

文件：105.3 Kbytes Page：1 Pages

Heyco

MMUN2213L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMUN2213L

  • 制造商

    ONSEMI

  • 制造商全称

    ON Semiconductor

  • 功能描述

    Digital Transistors(BRT) R1 = 47 k, R2 = 47 k

MMUN2213L供应商更多...

更新时间：2026-1-4 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
MMUN2213LT1G
onsemi(安森美)
24+
SOT-23(TO-236)
3022
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深圳市凌旭科技有限公司
MMUN2213LT1G
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SOT23
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MMUN2213LT1G
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39000
原装正品现货库存价优
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MMUN2213LT1G
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SOT-23
6000
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深圳市诺美思科技有限公司
MMUN2213LT1G
onsemi
原厂封装
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原装进口公司现货假一赔百
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深圳市科恒伟业电子有限公司
MMUN2213LT1G
ONSEMI/安森美
2450+
SOT-23-3TO-236
9850
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深圳市正纳电子有限公司
MMUN2213LT1G
ON(安森美)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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深圳市湘达电子科技有限公司
MMUN2213LT1G
ON/安森美
22+
SOT23
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只做原装,价格优惠,长期供货。
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深圳市富利微电子科技有限公司
MMUN2213LT1G
ON/安森美
24+
SOT-23(SOT-23-3)
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
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深圳市华斯顿科技有限公司
MMUN2213LT1G
ON
25+23+
SOT23-3
39777
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价

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MMUN2213L规格书下载地址

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    https://hch01.114ic.com/

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  • MMSZ5243BT1

    MMSZ5243BT1 ，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

    2020-11-4

  • MN101AF68G

    MN101AF68G，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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  • MNLM129A-X-精密基准

    一般描述 该LM129是多方面的，当前的温度补偿的6.9V稳压管的参考与精密 10至100倍以上的分立二极管少动态阻抗。建于一单硅芯片，LM129使用有源电路来缓冲允许内部齐纳器件工作在0.5 mA至15毫安范围内几乎没有变化性能。该LM129是选择的温度系数为0.001可用，0.002，0.005和0.01％/ c.这些新的引用也有良好的长期稳定性和低噪音。齐纳击穿一个新的地下使用的LM129提供低噪声和更好的长期稳定性比coventional集成电路齐纳二极管。进一步Zener和温度补偿晶体管是由一个平面进程，以便他们有免疫问题困扰普通的齐纳二极管。例如，几乎没有在齐纳

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