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MMUN2136L	DigitalTransistors(BRT) 文件：166.88 Kbytes Page：10 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMUN2136LT1G	封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）描述：TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
MMUN2136LT1G	DigitalTransistors(BRT) 文件：166.88 Kbytes Page：10 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
AG2136	MOSFET/IGBTGATEDRIVER3-PHASEHIGHVOLTAGEDRIVER DESCRIPTION TheAG2136isahighvoltage,highspeedpower MOSFETandIGBTdriverswithathreeindependent highandlowsidereferencedoutputchannelsfor 3-phaseapplications.Thefloatingchannelscanbe usedtodriveN-channelpowerMOSFETsorIGBTs inthehighsideconfigurationwhich	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技
B2136	BROADBANDxDSL,HPN,CMCs BROADBANDACCESS:xDSL,HPN,CMCs Broadbandhascomealongwayinthepastfewyears.Pulsecontinuestoleadthewaywithabroadrangeofcomponentsthatenabletwisted-paircopper,fiberandcoaxialcabletodeliverhigh-speedservicestohomesandbusinesses.Pulsecomponentsarealsous	pulse Pulse Electronics
B2136	ADSLLINETRANSFORMERSForAnalogDevicesAD20msp930Chipset BROADBANDACCESS:xDSL,HPN,CMCs Broadbandhascomealongwayinthepastfewyears.Pulsecontinuestoleadthewaywithabroadrangeofcomponentsthatenabletwisted-paircopper,fiberandcoaxialcabletodeliverhigh-speedservicestohomesandbusinesses.Pulsecomponentsarealsous	pulse Pulse Electronics
2136	Airsolenoidvalve 文件：83.44 Kbytes Page：1 Pages	FESTOFesto Corporation. 费斯托公司德国FESTO费斯托（中国）有限公司
AD-2136	ADSLLINETRANSFORMER 文件：60.47 Kbytes Page：1 Pages	BOTHHAND Bothhand USA

MMUN2136L产品属性

类型
描述
型号
MMUN2136L
制造商
ON Semiconductor
功能描述
PNP DIGITAL TRANSISTOR(B - Tape and Reel

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更新时间：2024-5-25 11:49:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市纳立科技有限公司	MMUN2136LT1G		三年内		1983	纳立只做原装正品13590203865	询价
深圳市华博特电子有限公司	MMUN2136LT1G	ONSEMI	23/22+	NA	9000	代理渠道.实单必成	询价
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现货
2020-11-14
MMZ25332B4T1
https://hch01.114ic.com/
2020-11-13
MMSZ5243BT1
MMSZ5243BT1，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-11-4
MN101AF68G
MN101AF68G，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-6-2
MMSZ5248BT1G
MMSZ5248BT1G
2019-11-15
MNLM129A-X-精密基准
一般描述该LM129是多方面的，当前的温度补偿的6.9V稳压管的参考与精密10至100倍以上的分立二极管少动态阻抗。建于一单硅芯片，LM129使用有源电路来缓冲允许内部齐纳器件工作在0.5mA至15毫安范围内几乎没有变化性能。该LM129是选择的温度系数为0.001可用，0.002，0.005和0.01％/c.这些新的引用也有良好的长期稳定性和低噪音。齐纳击穿一个新的地下使用的LM129提供低噪声和更好的长期稳定性比coventional集成电路齐纳二极管。进一步Zener和温度补偿晶体管是由一个平面进程，以便他们有免疫问题困扰普通的齐纳二极管。例如，几乎没有在齐纳
2013-3-17

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