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NPNEPITAXIALSILICONPLANARTRANSISTOR

GENERALDESCRIPTION The8050isanNPNepitaxialsiliconplanartransistordesignedforuseintheaudiooutputstageandconverter/invertercircuit.Complementaryto8550.

MICRO-ELECTRONICS

Micro Electronics

MICRO-ELECTRONICS

NPNTRANSISTOR

PowerDissipation Pcm:1.0W CollectorCurrent Icm:1.5A Collector-BaseVoltage Vcbo:45V

STANSON

Stanson Technology

STANSON

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

DAYADaya Electric Group Co., Ltd.

大亚电器集团大亚电器集团有限公司

DAYA

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications. EspeciallysuitableforAF-driverstages andlowpoweroutputstages. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •WithSOT-23packaging •Highcollector-basevoltage •Lowsaturationvoltage •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Audiooutputstageandconverters/inverterscircuits

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-7-25 23:00:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    MMSZ5243BT1,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

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    MN101AF68G,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    一般描述该LM129是多方面的,当前的温度补偿的6.9V稳压管的参考与精密10至100倍以上的分立二极管少动态阻抗。建于一单硅芯片,LM129使用有源电路来缓冲允许内部齐纳器件工作在0.5mA至15毫安范围内几乎没有变化性能。该LM129是选择的温度系数为0.001可用,0.002,0.005和0.01%/c.这些新的引用也有良好的长期稳定性和低噪音。齐纳击穿一个新的地下使用的LM129提供低噪声和更好的长期稳定性比coventional集成电路齐纳二极管。进一步Zener和温度补偿晶体管是由一个平面进程,以便他们有免疫问题困扰普通的齐纳二极管。例如,几乎没有在齐纳

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