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MMIX1G320N60B3

Medium-Speed Low-Vsat PT IGBT for 5-40 kHz Switching

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IXYS

艾赛斯

MMIX1G320N60B3

封装/外壳:24-PowerSMD,21 引线 包装:卷带(TR) 描述:MOSFET N-CH 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

艾赛斯

MMIX1G320N60B3

SMPD封装标准IGBT

Littelfuse

力特

更新时间:2025-10-20 22:59:00
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