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N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters, High Speed Switching

VBSEMI

微碧半导体

2.8 Amps, 20 Volts, N-Channel SOT-23

These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Features • Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life • Miniature SOT–23 Surface Mount Pac

ONSEMI

安森美半导体

2.8 Amps, 20 Volts, N?묬hannel SOT??3

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ONSEMI

安森美半导体

2.8 Amps, 20 Volts, N-Channel SOT-23

These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Features • Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life • Miniature SOT–23 Surface Mount Pac

ONSEMI

安森美半导体

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:2.8405 Mbytes Page:5 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

更新时间:2025-12-27 9:12:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729

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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729

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    制造商: Microchip 产品种类: 静态随机存取存储器 存储容量: 128 kbit 访问时间: 30 ns 电源电压-最大: 5.5 V 电源电压-最小: 4.5 V 电源电流—最大值: 110 mA 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: Flatpack-32 数据速率: SDR 类型: Asynchronous 商标

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