MMDF1N05ER2价格

参考价格:¥3.7547

型号:MMDF1N05ER2G 品牌:ON 备注:这里有MMDF1N05ER2多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,MMDF1N05ER2批发/采购报价,MMDF1N05ER2行情走势销售排行榜,MMDF1N05ER2报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MMDF1N05ER2

Power MOSFET 1 Amp, 50 Volts N-Channel SO-8, Dual

文件:76.17 Kbytes Page:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 2 A, 50 V, N-Channel SO-8, Dual

These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes and the drain−to−source diode has a low reverse recovery time. These devices are designed for use in low voltage

ONSEMI

安森美半导体

Power MOSFET 1 Amp, 50 Volts N-Channel SO-8, Dual

文件:76.17 Kbytes Page:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件:1.08928 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Power MOSFET 2 A, 50 V, N-Channel SO-8, Dual

These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes and the drain−to−source diode has a low reverse recovery time. These devices are designed for use in low voltage

ONSEMI

安森美半导体

MMDF1N05ER2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMDF1N05ER2

  • 功能描述

    MOSFET 50V 1A N-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-7 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
NA/
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ON(安森美)
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    2019-11-30
  • MMDJ-65608EV-30MQ静态随机存取存储器

    制造商: Microchip 产品种类: 静态随机存取存储器 存储容量: 128 kbit 访问时间: 30 ns 电源电压-最大: 5.5 V 电源电压-最小: 4.5 V 电源电流—最大值: 110 mA 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: Flatpack-32 数据速率: SDR 类型: Asynchronous 商标

    2019-11-29