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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MMBTA20LT1

General Purpose Amplifier

General Purpose Amplifier NPN Silicon

MOTOROLA

摩托罗拉

MMBTA20LT1

General Purpose Amplifier(NPN Silicon)

General Purpose Amplifier NPN Silicon Features • Pb−Free Package is Available

ONSEMI

安森美半导体

MMBTA20LT1

General Purpose Amplifier (NPN Silicon)

General Purpose Amplifier NPN Silicon

LRC

乐山无线电

MMBTA20LT1

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:托盘 描述:TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MMBTA20LT1

NPN Silicon General Purpose Amplifier

LRC

乐山无线电

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:托盘 描述:TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

High Voltage Switching Diode

High Voltage Switching Diode Device Marking: • BAS19LT1 = JP • BAS20LT1 = JR • BAS21LT1 = JS • BAS21DW5T1 = JS Features • Pb−Free Packages are Available

ONSEMI

安森美半导体

General Purpose Transistors

General Purpose Transistors Voltage and current are negative for PNP transistors

MOTOROLA

摩托罗拉

丝印代码:JR*;High Voltage Switching Diode

文件:128.41 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBTA20LT1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBTA20LT1

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 100mA 40V NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-3-17 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
25+
SOT-23-3(TO-236)
18798
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
ON/安森美
2450+
NA
9850
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
FAIRCHILD/仙童
21+
SOT-23
30000
优势供应 实单必成 可13点增值税
ON/安森美
21+
NA
12820
只做原装,质量保证
ON/安森美
22+
N/A
117000
现货,原厂原装假一罚十!
FAIRCHILD/仙童
23+
SOT-23
24190
原装正品代理渠道价格优势
ON
26+
原厂原封装
86720
全新原装正品价格最实惠 承诺假一赔百
ON/安森美
23+
SOT-23
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
ON/安森美
25+
SOT-23
860000
明嘉莱只做原装正品现货
ON/ONSemiconductor/安森
24+
SOT-23
6200
新进库存/原装

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