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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MMBTA20LT1

General Purpose Amplifier(NPN Silicon)

General Purpose Amplifier NPN Silicon Features • Pb−Free Package is Available

ONSEMI

安森美半导体

MMBTA20LT1

General Purpose Amplifier (NPN Silicon)

General Purpose Amplifier NPN Silicon

LRC

乐山无线电

MMBTA20LT1

General Purpose Amplifier

General Purpose Amplifier NPN Silicon

MOTOROLA

摩托罗拉

MMBTA20LT1

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:托盘 描述:TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MMBTA20LT1

NPN Silicon General Purpose Amplifier

LRC

乐山无线电

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:托盘 描述:TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

High Voltage Switching Diode

High Voltage Switching Diode Device Marking: • BAS19LT1 = JP • BAS20LT1 = JR • BAS21LT1 = JS • BAS21DW5T1 = JS Features • Pb−Free Packages are Available

ONSEMI

安森美半导体

General Purpose Transistors

General Purpose Transistors Voltage and current are negative for PNP transistors

MOTOROLA

摩托罗拉

丝印代码:JR*;High Voltage Switching Diode

文件:128.41 Kbytes Page:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBTA20LT1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBTA20LT1

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 100mA 40V NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-8-3 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
25+
SOT-23-3(TO-236)
18798
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
onsemi
25+
SOT-23-3(TO-236)
18746
样件支持,可原厂排单订货!
ON/安森美
2450+
NA
9850
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
FAIRCHILD/仙童
21+
SOT-23
30000
优势供应 实单必成 可13点增值税
ON/安森美
21+
NA
12820
只做原装,质量保证
ON/安森美
22+
N/A
117000
现货,原厂原装假一罚十!
onsemi
25+
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
FAIRCHILD/仙童
23+
SOT-23
24190
原装正品代理渠道价格优势
ON
26+
原厂原封装
86720
全新原装正品价格最实惠 承诺假一赔百
ON/ONSemiconductor/安森
24+
SOT-23
6200
新进库存/原装

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