型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MMBTA20LT1

General Purpose Amplifier

General Purpose Amplifier NPN Silicon

Motorola

摩托罗拉

MMBTA20LT1

General Purpose Amplifier(NPN Silicon)

General Purpose Amplifier NPN Silicon Features • Pb−Free Package is Available

ONSEMI

安森美半导体

MMBTA20LT1

General Purpose Amplifier (NPN Silicon)

General Purpose Amplifier NPN Silicon

LRC

乐山无线电

MMBTA20LT1

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:托盘 描述:TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MMBTA20LT1

NPN Silicon General Purpose Amplifier

LRC

乐山无线电

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:托盘 描述:TRANS NPN 40V 0.1A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

High Voltage Switching Diode

High Voltage Switching Diode Device Marking: • BAS19LT1 = JP • BAS20LT1 = JR • BAS21LT1 = JS • BAS21DW5T1 = JS Features • Pb−Free Packages are Available

ONSEMI

安森美半导体

High Voltage Switching Diode

High Voltage Switching Diode Device Marking: • BAS19LT1 = JP • BAS20LT1 = JR • BAS21LT1 = JS • BAS21DW5T1 = JS Features • Pb−Free Packages are Available

ONSEMI

安森美半导体

High Voltage Switching Diode

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ONSEMI

安森美半导体

High Voltage Switching Diode

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ONSEMI

安森美半导体

High Voltage Switching Diode

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ONSEMI

安森美半导体

MMBTA20LT1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBTA20LT1

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 100mA 40V NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-12-30 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
25+
SOT-23
54558
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
ON/安森美
22+
N/A
117000
现货,原厂原装假一罚十!
ON/安森美
25+
SOT-23
860000
明嘉莱只做原装正品现货
FSC
NA
16355
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
FAIRCHILD/仙童
21+
SOT-23
30000
优势供应 实单必成 可13点增值税
onsemi
25+
TO-236-3 SC-59 SOT-23-3
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
ON
25+
600000
原厂原装,价格优势
FAIRCHILD
25+
SOT23
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
ON/安森美
21+
NA
12820
只做原装,质量保证
ON/安森美
2450+
NA
9850
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!

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