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MMBTA14晶体管资料

  • MMBTA14别名：MMBTA14三极管、MMBTA14晶体管、MMBTA14晶体三极管

  • MMBTA14生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司

  • MMBTA14制作材料：Si-N+Darl

  • MMBTA14性质：低频或音频放大 （LF）

  • MMBTA14封装形式：贴片封装

  • MMBTA14极限工作电压：

  • MMBTA14最大电流允许值：0.5A

  • MMBTA14最大工作频率：<1MHZ或未知

  • MMBTA14引脚数：3

  • MMBTA14最大耗散功率：

  • MMBTA14放大倍数：

  • MMBTA14图片代号：H-15

  • MMBTA14vtest：0

  • MMBTA14htest：999900

  • MMBTA14atest：0.5

  • MMBTA14wtest：0

  • MMBTA14代换 MMBTA14用什么型号代替：BCV27,BCV47,PMBTA14,SMBTA14,

MMBTA14价格

参考价格：￥0.1518

型号：MMBTA14 品牌：FAIRCHILD 备注：这里有MMBTA14多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBTA14批发/采购报价，MMBTA14行情走势销售排行榜，MMBTA14报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MMBTA14

DARLINGTON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION The UTC MMBTA14 is a Darlington transistor. FEATURES * Collector-Emitter Voltage: VCES = 30V * Collector Dissipation: PC(MAX) = 350 mW

UTC

友顺

MMBTA14

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR (NPN) FEATURES • Darlington Amplifier

DAYA

大亚电器

MMBTA14

DarlingtonAmplifier Transistors

Darlington Amplifier Transistors ​​​​​​​ ● We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.

FS

MMBTA14

Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES • Darlington Amplifier

HOTTECH

合科泰

MMBTA14

Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES • Darlington Amplifier

MAKOSEMI

美科半导体

MMBTA14

NPN Darlington Amplifier Transistor

FEATURES ● Epitaxial planar die construction. ● Complementary PNP type available (MMBTA63/MMBTA64). ● High current gain. APPLICATIONS ● Ideal for medium power amplification and switching.

LUGUANG

鲁光电子

mmbta14

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors

FEATURES Darlington Amplifier

GWSEMI

唯圣电子

MMBTA14

Power dissipation

FEATURES Power dissipation PCM : 0.3W（Tamb=25℃） Collector current ICM : 0.3A Collector-base voltage V(BR)CBO : 30V Operating and storage junction temperature range TJ，Tstg: -55℃ to +150

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

MMBTA14

Darlington Amplifier

FEATURES • Darlington Amplifier

MAKOSEMI

美科半导体

MMBTA14

NPN Darlington Transistor

NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1.0 A.

Fairchild

仙童半导体

MMBTA14

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, DARLINGTON TRANSISTOR)

GENERAL PURPOSE APPLICATION. DARLINGTON TRANSISTOR.

KEC

KEC(Korea Electronics)

MMBTA14

NPN Darlington Amplifier Transistor

Features • Operating And Storage Temperatures –55°C to +150°C • RθJA is 556OC/W (Mounted on FR-5 PCB 1.0”x0.75”x0.062”) • Capable of 225mWatts of Power Dissipation • Halogen free available upon request by adding suffix -HF • Marking: MMBTA13 ---K2D; MMBTA14 ---K3D • Lead Free Finish/RoHS Co

MCC

MMBTA14

NPN Silicon Darlington Transistors

NPN Silicon Darlington Transistors ● High DC current gain ● High collector current ● Low collector-emitter saturation voltage

Infineon

英飞凌

MMBTA14

TRANSISTOR竊뉿PN竊

TRANSISTOR（ NPN） FEATURES Power dissipation PCM : 0.3W（ Tamb=25℃） Collector current ICM: 0.3A Collector-base voltage V(BR)CBO : 30V Operating and storage junction temperature range TJ， Tstg: -55℃ to +150

JIANGSU

长电科技

MMBTA14

NPN Transistors Darlington Amplifier

NPN Transistors Darlington Amplifier

WEITRON

MMBTA14

NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Types Available (MMBTA63, MMBTA64) • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • High Current Gain

TRSYS

Transys Electronics

MMBTA14

NPN General Purpose Transistor

FEATURES ● Epitaxial planar die construction. ● Complementary PNP type available (MMBTA63/MMBTA64). ● High current gain APPLICATIONS ● Ideal for medium power amplification and switching.

BILIN

银河微电

MMBTA14

TRANSISTOR (NPN)

FEATURES • Darlington Amplifier

HTSEMI

金誉半导体

MMBTA14

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistors for general purpose applications, darlington transistor. The transistor is subdivided into one group according to its DC current gain. On special request, these transistors can be manufactured in different pin configurations.

SEMTECH_ELEC

先之科半导体

MMBTA14

NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Types Available (MMBTA63/MMBTA64) • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • High Current Gain • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green Device (Notes 3 and 4) • Qualified to AEC-Q101 Standards for Hig

DIODES

美台半导体

MMBTA14

NPN Silicon Darlington Transistor High collector current Low collector-emitter saturation voltage

文件：71 Kbytes Page：6 Pages

Infineon

英飞凌

MMBTA14

NPN Darlington Amplifier Transistor

文件：265.16 Kbytes Page：5 Pages

MCC

MMBTA14

NPN (DARLINGTON AMPLIFIER TRANSISTOR)

文件：28.4 Kbytes Page：1 Pages

Samsung

三星

MMBTA14

NPN, 30V, 0.3A, SOT23

DIODES

美台半导体

MMBTA14

NPN 达林顿晶体管

ONSEMI

安森美半导体

MMBTA14

NPN Silicon Darlington Transistor High collector current Low collector-emitter saturation voltage

Infineon

英飞凌

MMBTA14

NPN Darlington Transistor

文件：651.11 Kbytes Page：14 Pages

Fairchild

仙童半导体

MMBTA14

NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

文件：112.84 Kbytes Page：3 Pages

DIODES

美台半导体

MMBTA14

NPN Darlington Amplifier Transistor

文件：133.59 Kbytes Page：3 Pages

BILIN

银河微电

MMBTA14

NPN Silicon Darlington Transistor

文件：531.07 Kbytes Page：7 Pages

Infineon

英飞凌

MMBTA14

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：剪切带（CT）带盒（TB） 描述：TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MMBTA14

DARLINGTON TRANSISTOR

文件：79.28 Kbytes Page：3 Pages

UTC

友顺

MMBTA14

NPN Darlington Amplifier Transistor

文件：277.27 Kbytes Page：5 Pages

MCC

MMBTA14

TRANSISTOR (NPN)

文件：698.59 Kbytes Page：2 Pages

JIANGSU

长电科技

MMBTA14-7

NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Types Available (MMBTA63/MMBTA64) • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • High Current Gain • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green Device (Notes 3 and 4) • Qualified to AEC-Q101 Standards for Hig

DIODES

美台半导体

MMBTA14L

Darlington Amplifier Transistors NPN Silicon

Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant*

ONSEMI

安森美半导体

MMBTA14LT1

Darlington Amplifier Transistors

NPN Silicon

Motorola

摩托罗拉

MMBTA14LT1

Darlington Amplifier Transistors(NPN Silicon)

NPN Silicon

LRC

乐山无线电

MMBTA14LT1

Darlington Amplifier Transistors

Darlington Amplifier Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available

ONSEMI

安森美半导体

MMBTA14LT1G

Darlington Amplifier Transistors

Darlington Amplifier Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available

ONSEMI

安森美半导体

MMBTA14LT1G

Darlington Amplifier Transistors NPN Silicon

Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant*

ONSEMI

安森美半导体

MMBTA14_10

DARLINGTON TRANSISTOR

文件：79.28 Kbytes Page：3 Pages

UTC

友顺

MMBTA14_11

TRANSISTOR (NPN)

文件：698.59 Kbytes Page：2 Pages

JIANGSU

长电科技

MMBTA14_15

DARLINGTON TRANSISTOR

文件：142.9 Kbytes Page：3 Pages

UTC

友顺

MMBTA14-7

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：管件 描述：TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

DIODES

美台半导体

MMBTA14-7-F

NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

文件：112.84 Kbytes Page：3 Pages

DIODES

美台半导体

MMBTA14-7-F

NPN SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

文件：120.01 Kbytes Page：3 Pages

DIODES

美台半导体

MMBTA14-AE3-R

DARLINGTON TRANSISTOR

文件：79.28 Kbytes Page：3 Pages

UTC

友顺

MMBTA14G-AE3-R

DARLINGTON TRANSISTOR

文件：142.9 Kbytes Page：3 Pages

UTC

友顺

MMBTA14G-AE3-R

DARLINGTON TRANSISTOR

文件：79.28 Kbytes Page：3 Pages

UTC

友顺

MMBTA14G-X-AL3-R

DARLINGTON TRANSISTOR

文件：142.9 Kbytes Page：3 Pages

UTC

友顺

MMBTA14L

Darlington Amplifier Transistors

文件：194.2 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBTA14L-AE3-R

DARLINGTON TRANSISTOR

文件：79.28 Kbytes Page：3 Pages

UTC

友顺

MMBTA14LT1

Darlington Amplifier Transistors(NPN Silicon)

文件：235.66 Kbytes Page：8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBTA14LT1G

Darlington Amplifier Transistors

文件：189.73 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBTA14LT1G

Darlington Amplifier Transistors

文件：194.2 Kbytes Page：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBTA14产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBTA14

  • 功能描述

    达林顿晶体管 NPN Transistor Darlington

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

MMBTA14供应商更多...

更新时间：2025-12-25 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
MMBTA14LT1HTSA1
Infineon(英飞凌)
24+
SOT-23
3022
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
MMBTA14
CJ/长电
24+
NA/
135000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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标准国际(香港)有限公司
MMBTA14LT1G
ONSEMI
25+
NA
30000
全新原装!优势库存热卖中!
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深圳市拓亿芯电子有限公司
MMBTA14
FAIRCHILD/仙童
25+
SOT-23
15000
全新原装现货,价格优势
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深圳市凯睿晟科技有限公司
MMBTA14
FAIRCHILD/仙童
21+
SOT-23
30000
优势供应 实单必成 可13点增值税
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深圳市正纳电子有限公司
MMBTA14
Fairchild(飞兆/仙童)
23+
NA
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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深圳市振宏微科技有限公司
MMBTA14
SOT-23
23+
NA
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振宏微专业只做正品,假一罚百!
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深圳市华斯顿科技有限公司
MMBTA14
长电
25+23+
SOT-23
24456
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
深圳市宏世佳电子科技有限公司
MMBTA14
UTC
2025+
SOT-23
3685
全新原厂原装产品、公司现货销售
询价
深圳市胜彬电子有限公司
mmbta14
FAIRCILD
22+
SOT-23
3000
原装正品,支持实单
询价

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