位置：首页 > IC中文资料第3397页 > MMBT6427LT3
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBT6427LT3 | 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：托盘 描述：TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
MMBT6427LT3 | TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT-23 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT-23 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：托盘 描述：TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Darlington Transistors NPN Silicon RoHS requirements. 文件：231.51 Kbytes Page：6 Pages | LRC 乐山无线电 | |
MMBT6427LT3产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT6427LT3
- 功能描述
TRANS DARL NPN 40V 500MA SOT-23
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
- 系列
-
- 标准包装
1
- 系列
-
- 晶体管类型
NPN 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）
1A 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）
30V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
200mV @ 100mA，1A 电流 -
- 集电极截止（最大）
100nA 在某 Ic、Vce
- 时的最小直流电流增益(hFE)
300 @ 500mA，5V 功率 -
- 最大
710mW 频率 -
- 转换
100MHz
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
- 包装
Digi-Reel®
- 其它名称
MMBT489LT1GOSDKR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
SOT-23-3(TO-236) |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
onsemi |
25+ |
SOT-23-3(TO-236) |
20948 |
样件支持,可原厂排单订货! |
|||
Vishay |
17 |
na |
5000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VISHAY/威世 |
2418+ |
N/A |
23566 |
原装优势现货!一片起卖!可开专票! |
|||
VISHAY |
SMD |
56000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
VISHAY/威世 |
15+ROHS |
SMD |
296800 |
||||
ON |
24+ |
SOT23 |
12000 |
||||
VISHAY/威世 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
TAOGLAS |
24+ |
con |
10000 |
查现货到京北通宇商城 |
|||
VISHAY |
23+ |
SMD |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
MMBT6427LT3规格书下载地址
MMBT6427LT3参数引脚图相关
- nrf24l01
- nfc芯片
- NFC
- ne555定时器
- ne555
- nand闪存
- n74
- n100
- mxt
- murata
- mt7201
- mt6795
- msm8625q
- msm7227a
- MP4
- MP3
- mos晶体管
- mos管
- MOSFET
- molex连接器
- MMBTA65
- MMBTA64
- MMBTA63
- MMBTA56
- MMBTA55
- MMBTA45
- MMBTA44
- MMBTA43
- MMBTA42
- MMBTA28
- MMBTA20
- MMBTA14
- MMBTA13
- MMBTA11
- MMBTA10
- MMBTA06
- MMBTA05
- MMBT945
- MMBT918
- MMBT720
- MMBT6521LT1G
- MMBT6521LT1
- MMBT6520LT3G
- MMBT6520LT3
- MMBT6520LT1G
- MMBT6520LT1
- MMBT6517LT3G
- MMBT6517LT3
- MMBT6517LT1G-CUT TAPE
- MMBT6517LT1G
- MMBT6517LT1
- MMBT6515_Q
- MMBT6515
- MMBT6429LT1G
- MMBT6429LT1
- MMBT6428LT1G
- MMBT6428LT1
- MMBT6428_Q
- MMBT6428
- MMBT6427LT3G
- MMBT6427LT1G
- MMBT6427LT1
- MMBT6427-7-F
- MMBT6427-7
- MMBT6427_Q
- MMBT6427
- MMBT619
- MMBT5962_Q
- MMBT5962
- MMBT593
- MMBT591
- MMBT589LT3G
- MMBT589LT3
- MMBT589LT1G
- MMBT589LT1
- MMBT589
- MMBT5771_Q
- MMBT5771
- MMBT5770_Q
- MMBT5770
- MMBT56
- MMBT5551-TP
- MMBT5551-T
- MMBT5551M3T5G
- MMBT5551LTG
- MMBT493
- MMBT491
- MMBT42
- MMBT28S
- MMBT200
- MMBT100
- MMBR951
- MMBR941
- MMBR931
- MMBR930
- MMBR920
- MMBR911
- MMBR571
- MMBF170
- MMBF102
MMBT6427LT3数据表相关新闻
MMBT5551LT1G 是安森美半导体推出的一款 NPN 型硅高压晶体管，采用 SOT-23 封装，符合 AEC-Q101 要求，适用于汽车、工业等领域。
MMBT5551LT1G 是安森美半导体推出的一款 NPN 型硅高压晶体管，采用 SOT-23 封装，符合 AEC-Q101 要求，适用于汽车、工业等领域。
2025-7-22MMBT9013G-SOT23.3R-H-TG_UTC代理商
MMBT9013G-SOT23.3R-H-TG_UTC代理商
2023-2-15MMBT5551G-SOT23.3R-C-TG_UTC代理商
MMBT5551G-SOT23.3R-C-TG_UTC代理商
2023-2-8MMBT6520LT1G
原装代理
2022-6-18MMBT5551-7-F全新原装现货
MMBT5551-7-F集电极—发射极很大电压 VCEO: 160 V 集电极—基极电压 VCBO: 180 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V 集电极—射极饱和电压: 200 mV 很大直流电集电极电流: 600 mA Pd-功率耗散: 300 mW 增益带宽产品fT: 300 MHz
2022-3-22MMBTA28-7-F，美台原装正品，SOT-23
MMBTA28-7-F，美台原装正品，SOT-23
2019-5-14
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
- P104
- P105
- P106
- P107
- P108
- P109
- P110
