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MMBT5550晶体管资料
MMBT5550别名:MMBT5550三极管、MMBT5550晶体管、MMBT5550晶体三极管
MMBT5550生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司
MMBT5550制作材料:
MMBT5550性质:低频或音频放大 (LF)_宽频带放大 (A)
MMBT5550封装形式:
MMBT5550极限工作电压:160V
MMBT5550最大电流允许值:0.6A
MMBT5550最大工作频率:<1MHZ或未知
MMBT5550引脚数:
MMBT5550最大耗散功率:0.3W
MMBT5550放大倍数:
MMBT5550图片代号:NO
MMBT5550vtest:160
MMBT5550htest:999900
- MMBT5550atest:.6
MMBT5550wtest:.3
MMBT5550代换 MMBT5550用什么型号代替:3DK104F,
MMBT5550价格
参考价格:¥0.1339
型号:MMBT5550 品牌:FAIRCHILD 备注:这里有MMBT5550多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,MMBT5550批发/采购报价,MMBT5550行情走势销售排行榜,MMBT5550报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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MMBT5550 | NPN(HIGHVOLTAGETRANSISTOR) NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR HIGHVOLTAGETRANSISTOR | SamsungSamsung Group 三星三星半导体 | ||
MMBT5550 | HIGHVOLTAGETRANSISTORNPNSILICON HighVoltageTransistor NPNSilicon | ZOWIEZOWIE 智威智威科技股份有限公司 | ||
MMBT5550 | NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier •Thisdeviceisdesignedforgeneralpurposehighvoltageamplifiersandgasdischargedisplaydrivers. | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | ||
MMBT5550 | HighVoltageNPNTransistors HighVoltageNPNTransistors P/bLead(Pb)-Free | WEITRONWEITRON 威堂電子科技 | ||
MMBT5550 | SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled | DiotecDIOTEC 德欧泰克 | ||
MMBT5550 | HighVoltageTransistors Features ●NPNSilicon | KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司 | ||
MMBT5550 | TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighVoltageTransistor | HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司 | ||
MMBT5550 | NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Highvoltagetransistors. ●Generalpurposeapplication. | BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司 | ||
MMBT5550 | NPNPlasticEncapsulateTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •CollectorCurrent:ICM=0.6A •Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=160V •OperatingAndStorageTemperatures–55°Cto150°C •Capableof225mWattsofPowerDissipation •Marking:M1F •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuf | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司 | ||
MMBT5550 | SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighVoltageTransistor | JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd | ||
MMBT5550 | HighVoltageTransistors HighVoltageTransistors FEATURE ●Wedeclarethatthematerialofproduct compliancewithRoHSrequirements. | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司 | ||
MMBT5550 | NPNGeneralPurposeAmplifier FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●Highvoltagetransistors. ●Generalpurposeapplication. | LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司 | ||
MMBT5550 | NPNSilicon NPNSilicon | SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司 | ||
MMBT5550 | 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:剪切带(CT)带盒(TB) 描述:TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
MMBT5550 | NPNGeneralPurposeAmplifier 文件:170.67 Kbytes Page:4 Pages | BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司 | ||
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HighVoltageTransistors HighVoltageTransistors Leadfreeproduct FEATURE ●Wedeclarethatthematerialofproduct compliancewithRoHSrequirements. | ZOWIEZOWIE 智威智威科技股份有限公司 | |||
HighVoltageTransistors HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
HighVoltageTransistors(NPNSilicon) HighVoltageTransistors NPNSilicon | LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司 | |||
HighVoltageTransistors HighVoltageTransistors NPNSilicon | MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉 | |||
HighVoltageTransistors(NPNSilicon) HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
HighVoltageTransistors HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
HighVoltageTransistors HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101Qualifiedand PPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
NPNGeneralPurposeAmplifier 文件:170.67 Kbytes Page:4 Pages | BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司 | |||
HighVoltageTransistorsLeadfreeproductHalogen-freetype 文件:184.54 Kbytes Page:4 Pages | ZOWIEZOWIE 智威智威科技股份有限公司 | |||
HighVoltageTransistors 文件:97.56 Kbytes Page:6 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
HighVoltageTransistors 文件:97.56 Kbytes Page:6 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
HighVoltageTransistorsNPNSilicon 文件:127.52 Kbytes Page:6 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
HighVoltageTransistorsNPNSilicon 文件:127.52 Kbytes Page:6 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
HIGHVOLTAGECAPACITORSMONOLITHICCERAMICTYPE
| SEMTECH Semtech Corporation | |||
AluminumElectrolyticCapacitors 文件:5.29445 Mbytes Page:66 Pages | KEMETKEMET Corporation 基美基美公司 | |||
8-slotPC-basedControllerwithGX2CPU 文件:616.62 Kbytes Page:2 Pages | ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技(中国)有限公司 | |||
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2-ChannelMotorDriverforDSC 文件:264.5 Kbytes Page:10 Pages | Aimtron 园创 |
MMBT5550产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT5550
- 功能描述
两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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ZOWIE |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
Micro Commercial Co |
24+ |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
ON |
11+ |
2274 |
原装正品长期供货,如假包赔包换 徐小姐13714450367 |
||||
ON |
23+ |
SOT-23 |
7750 |
全新原装优势 |
|||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
80871 |
原装进口特价供应 QQ 1304306553 更多详细咨询 库存 |
|||
长电/长晶 |
2021 |
SOT-23 |
63000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FSC |
2016+ |
SMD |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
ON |
21+ |
SOT23 |
9000 |
只做原装,公司现货,提供一站式BOM配单服务! |
|||
onsemi(安森美) |
23+ |
SOT23 |
6000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
MMBT5550规格书下载地址
MMBT5550参数引脚图相关
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- nfc芯片
- NFC
- ne555定时器
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MMBT5551-7-F全新原装现货
MMBT5551-7-F集电极—发射极很大电压VCEO:160V 集电极—基极电压VCBO:180V 发射极-基极电压VEBO:6V 集电极—射极饱和电压:200mV 很大直流电集电极电流:600mA Pd-功率耗散:300mW 增益带宽产品fT:300MHz
2022-3-22MMBT5551 支持原装现货订货型号 SOT-23
MMBT5551CJ/长电SOT-23
2021-4-22MMBT4403 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电现货订货,欢迎咨询
MMBT4403CJ/长电SOT-23
2021-3-9MMBT5551
MMBT5551,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-7-1MMBT4403:24000PCS,原装现货
MMBT4403 品牌:CJ 数量:24000PCS 公司热卖原装现货
2019-10-23MMBT5401
MMBT5401丝印2L,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-3-23
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