位置:首页 > IC中文资料第1489页 > MMBT4401K
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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MMBT4401K | PNPEpitaxialSiliconTransistor PNPEpitaxialSiliconTransistor SwitchingTransistor | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | ||
MMBT4401K | 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:散装 描述:TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ||
NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VOLTAGE40VoltsPOWER625mWatts FEATURES •NPNepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=40V •CollectorcurrentIC=600mA •Complimentary(PNP)device:2N4403 •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRoHSenvironmentsubstancedirective | PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司 | |||
DO-41Case
| NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司 | |||
GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | |||
NPNGeneralPurposeAmplifier 文件:218.45 Kbytes Page:4 Pages | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司 | |||
TO-92BIPOLARTRANSISTORSTRANSISTOR(NPN) 文件:442.97 Kbytes Page:6 Pages | RECTRON Rectron Semiconductor |
MMBT4401K产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT4401K
- 功能描述
两极晶体管 - BJT NPN EPITAXIAL SILICON
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
945 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-23 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-23 |
15000 |
只做原装正品 |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-23 |
32000 |
FAIRCHILD/仙童全新特价MMBT4401K即刻询购立享优惠#长期有货 |
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ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原装,正品 |
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ONSEMI |
20+ |
SOT23 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
SOT-23 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-23 |
154590 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
MMBT4401K规格书下载地址
MMBT4401K参数引脚图相关
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2021-3-9MMBT4401LT1G
晶体管类型:NPN 电流-集电极(Ic)(最大值):600mA 电压-集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic时的?Vce饱和值(最大值):750mV@50mA,500mA 不同?Ic,Vce?时的DC电流增益(hFE)(最小值):100@150mA,1V 功率-最大值:300mW 频率-跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC
2020-9-3
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