位置：首页 > IC中文资料第1599页 > MMBT4356
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBT4356 | PNPGeneralPurposeAmplifier PNPGeneralPurposeAmplifier •Thisdeviceisdesignedforuseasgeneralpurposeamplifiersandswitchesrequiringcollectorcurrentsto500mA. •Sourcedfromprocess67. •SeeTN4033Aforcharacteristics. | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  |   |
MMBT4356 | 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：散装 描述：TRANS PNP 80V 0.8A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | |
HEYClean®BrassPressureEqualizationandDrainPlugs 文件：158.47 Kbytes Page：1 Pages | HeycoHeyco. 海科 |  | | |
HEYClean®BrassPressureEqualizationandDrainPlugs 文件：152.36 Kbytes Page：1 Pages | HeycoHeyco. 海科 | | | |
PanelMountLensesforT-1(3mm)LEDs 文件：79.98 Kbytes Page：1 Pages | VCC Visual Communications Company |  | | |
6.8GHzWidebandSynthesizerwithIntegratedVCO 文件：752.26 Kbytes Page：35 Pages | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 |  | | |
6.8GHzWidebandSynthesizerwithIntegratedVCO 文件：790.52 Kbytes Page：35 Pages | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | | |
MMBT4356产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT4356
- 功能描述
两极晶体管 - BJT PNP/ 30V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
15000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
100586 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
FAIRCHILD |
1844+ |
TTB23 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
FAIRCHI |
2020+ |
SOT-23 |
3000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
ON/FAIRCHILD |
23+ |
SOT-23 |
63000 |
原装正品现货 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
SOT-23 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
|||
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOT-23 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
FAIRCHILD |
2025+ |
SOT23 |
3550 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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2021-5-15MMBT4401 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电现货订货，欢迎咨询
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2021-3-9MMBT4401LT1G
晶体管类型：NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）：600mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：750mV@50mA，500mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@150mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC
2020-9-3MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：400mV@5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@10mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3
DdatasheetPDF页码索引
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