位置：首页 > IC中文资料第1599页 > MMBT4356
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBT4356 | PNP General Purpose Amplifier PNP General Purpose Amplifier • This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 500mA. • Sourced from process 67. • See TN4033A for characteristics. | Fairchild 仙童半导体 |   | |
MMBT4356 | 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：散装 描述：TRANS PNP 80V 0.8A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
MMBT4356 | TRANS PNP 80V 0.8A SOT-23 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Programmable Transimpedance, Current to Bits Receiver μModule FEATURES High performance, current input, data-acquisition μModule that includes Programmable-gain transimpedance amplifier (PGTIA) Fully differential amplifier (FDA) Programmable analog low-pass filter (LPF) 14-bit 125MSPS ADC Three selectable gains Integrated 1.8V LDO for th | AD 亚德诺 | | ||
Programmable Transimpedance, Current to Bits Receiver μModule FEATURES High performance, current input, data-acquisition μModule that includes Programmable-gain transimpedance amplifier (PGTIA) Fully differential amplifier (FDA) Programmable analog low-pass filter (LPF) 14-bit 125MSPS ADC Three selectable gains Integrated 1.8V LDO for th | AD 亚德诺 | | ||
Panel Mount Lenses for T-1 (3mm) LEDs 文件：79.98 Kbytes Page：1 Pages | VCC | | ||
HEYClean® Brass Pressure Equalization and Drain Plugs 文件：158.47 Kbytes Page：1 Pages | Heyco | | ||
HEYClean® Brass Pressure Equalization and Drain Plugs 文件：152.36 Kbytes Page：1 Pages | Heyco | |
MMBT4356产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT4356
- 功能描述
两极晶体管 - BJT PNP/ 30V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
SOT-23 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOT-23 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
SIOT-23 |
20000 |
只做原装 |
|||
FAIRCHILD/ON |
24+ |
90000 |
|||||
ON/安森美 |
2025+ |
SIOT-23 |
5000 |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
|||
FAIRCHILD |
2025+ |
SOT23 |
3550 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-23 |
986966 |
国产 |
|||
ON/安森美 |
20+ |
SOT-23 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
|||
FAIRCHI |
25+ |
SOT-23 |
3000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
SOT-23 |
60000 |
MMBT4356芯片相关品牌
MMBT4356规格书下载地址
MMBT4356参数引脚图相关
- nrf24l01
- nfc芯片
- NFC
- ne555定时器
- ne555
- nand闪存
- n74
- n100
- mxt
- murata
- mt7201
- mt6795
- msm8625q
- msm7227a
- MP4
- MP3
- mos晶体管
- mos管
- MOSFET
- molex连接器
- MMBTA43
- MMBTA42
- MMBTA28
- MMBTA20
- MMBTA14
- MMBTA13
- MMBTA11
- MMBTA10
- MMBTA06
- MMBTA05
- MMBT945
- MMBT918
- MMBT720
- MMBT619
- MMBT593
- MMBT591
- MMBT589
- MMBT56
- MMBT493
- MMBT491
- MMBT4401LT1
- MMBT4401LT
- MMBT4401K
- MMBT4401-GS08
- MMBT4401-G
- MMBT4401FSTRND
- MMBT4401-7-F-31
- MMBT4401-7-F
- MMBT4401-7
- MMBT4401-13-F
- MMBT4401-13F
- MMBT4401-13-04-F
- MMBT4401-13-03-F
- MMBT4401-13-02-F
- MMBT4401-13
- MMBT4401_Q
- MMBT4401_D87Z
- MMBT4401
- MMBT4400_Q
- MMBT4400
- MMBT4355_Q
- MMBT4355
- MMBT4354_Q
- MMBT4354
- MMBT4260
- MMBT42
- MMBT4126LT3G
- MMBT4126LT1G
- MMBT4126LT1
- MMBT4126-7-F
- MMBT4126-7
- MMBT4126_Q
- MMBT4126
- MMBT4125LT1
- MMBT4124LT1G
- MMBT4124LT1
- MMBT4124-7-F
- MMBT4124-7
- MMBT4124_Q
- MMBT4124
- MMBT3946DW1T1
- MMBT28S
- MMBT200
- MMBT100
- MMBR951
- MMBR941
- MMBR931
- MMBR930
- MMBR920
- MMBR911
- MMBR571
- MMBF170
- MMBF102
- MMBD914
- MMBD770
- MMBD717
- MMBD701
- MMBD452
- MMBD355
- MMBD354
MMBT4356数据表相关新闻
MMBT3906G-SOT23.3R-TG_UTC代理商
MMBT3906G-SOT23.3R-TG_UTC代理商
2023-2-9MMBT3906WT1G 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
MMBT3906WT1G 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)，SC-70-3 ，ON安森美原装现货
2022-2-22MMBT4401 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电订货型号，欢迎咨询！
MMBT4401 CJ/长电 SOT-23
2021-5-15MMBT4401 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电现货订货，欢迎咨询
MMBT4401 CJ/长电 SOT-23
2021-3-9MMBT4401LT1G
晶体管类型：NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：750mV @ 50mA，500mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 150mA，1V 功率 - 最大值：300mW 频率 - 跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC
2020-9-3MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：400mV @ 5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值：300mW 频率 - 跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3
DdatasheetPDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
- P98
- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
- P104
- P105
- P106
- P107
