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MMBT4125晶体管资料
MMBT4125别名：MMBT4125三极管、MMBT4125晶体管、MMBT4125晶体三极管
MMBT4125生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司
MMBT4125制作材料：
MMBT4125性质：射频/高频放大 （HF）_通用 （G）
MMBT4125封装形式：
MMBT4125极限工作电压：30V
MMBT4125最大电流允许值：0.2A
MMBT4125最大工作频率：<1MHZ或未知
MMBT4125引脚数：
MMBT4125最大耗散功率：0.35W
MMBT4125放大倍数：
MMBT4125图片代号：NO
MMBT4125vtest：30
MMBT4125htest：999900
- MMBT4125atest：0.2
MMBT4125wtest：0.35
MMBT4125代换 MMBT4125用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBT4125 | PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR | Samsung 三星 |   | |
MMBT4125 | PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) | Samsung 三星 | | |
POWER DIVIDERS FIVE-WAY, 2 TO 8 GHZ FEATURES • Designed to Meet MIL-E-5400 Class 3 • SMA Female Connectors per MIL-PRF-39012 • High Isolation Wilkinson Circuit Design | FILTRONIC | | ||
High Linearity Quad MOSFET Mixer for GSM 800 & Cellular BTS Product Description The PE4125 is a high linearity, passive Quad MOSFET Mixer for GSM 800 & Cellular Base Station Receivers and exhibits high dynamic range performance over a broad LO drive range up to 20 dBm. This mixer integrates passive matching networks to provide single-ended interfaces | Peregrine | | ||
POWER DIVIDERS 文件：160.63 Kbytes Page：2 Pages | APITECH | | ||
4125 文件：159.79 Kbytes Page：2 Pages | APITECH | | ||
POWER DIVIDERS 文件：165.57 Kbytes Page：2 Pages | APITECH | |
MMBT4125产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT4125
- 制造商
Rochester Electronics LLC
- 功能描述
- Tape and Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-23 |
54558 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
SOT-23 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
|||
SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOT-23 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
24+ |
5000 |
公司存货 |
|||||
ONSEMI/安森美 |
2025+ |
SOT-23 |
5000 |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
|||
ON/安森美 |
22+ |
SOT-23 |
20000 |
只做原装 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-23 |
986966 |
国产 |
|||
ON/安森美 |
20+ |
SOT-23 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
NA |
24600 |
电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道 |
MMBT4125规格书下载地址
MMBT4125参数引脚图相关
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2021-3-9MMBT4401LT1G
晶体管类型：NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：750mV @ 50mA，500mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 150mA，1V 功率 - 最大值：300mW 频率 - 跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC
2020-9-3MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：400mV @ 5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值：300mW 频率 - 跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3
DdatasheetPDF页码索引
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