MMBT4123晶体管资料
MMBT4123别名：MMBT4123三极管、MMBT4123晶体管、MMBT4123晶体三极管
MMBT4123生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司
MMBT4123制作材料：
MMBT4123性质：射频/高频放大 （HF）_通用 （G）
MMBT4123封装形式：
MMBT4123极限工作电压：40V
MMBT4123最大电流允许值：0.2A
MMBT4123最大工作频率：<1MHZ或未知
MMBT4123引脚数：
MMBT4123最大耗散功率：0.3W
MMBT4123放大倍数：
MMBT4123图片代号：NO
MMBT4123vtest：40
MMBT4123htest：999900
- MMBT4123atest：0.2
MMBT4123wtest：0.3
MMBT4123代换 MMBT4123用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBT4123 | NPN (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR | SAMSUNG 三星 |   | |
LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT • 1N4099UR-1 THRU 1N4135UR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/435 • LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT • LOW CURRENT OPERATION AT 250 µA • METALLURGICALLY BONDED • DOUBLE PLUG CONSTRUCTION | CDI-DIODE | | ||
LOW NOISE ZENER DIODE 6.8 VOLTS THRU 47 VOLTS 500mW, 5 TOLERANCE DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMHZ4099 Series types are high quality Silicon Zener Diodes designed for low leakage, low current and low noise applications. | CENTRAL | | ||
Amplifier Transistors Amplifier Transistor NPN Silicon | MOTOROLA 摩托罗拉 | | ||
Silicon PNP epitaxial planer transistor Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits ■ Features • Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. • New S type package, allowing supply with the radial taping | PANASONIC 松下 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay |
17 |
na |
5000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VISHAY/威世 |
2025+ |
SMD |
32000 |
原装正品现货供应商原厂渠道物美价优 |
|||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
VISHAY/威世 |
2450+ |
SMD |
6540 |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
SOT-23 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
|||
22+ |
SOT-23 |
20000 |
只做原装 |
||||
NSC |
25+ |
2000 |
公司优势库存 热卖中!! |
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VISHAY/威世 |
2418+ |
N/A |
23566 |
原装优势现货!一片起卖!可开专票! |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
SMD |
28235 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
MMBT4123规格书下载地址
MMBT4123参数引脚图相关
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2021-5-15MMBT4401 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电现货订货，欢迎咨询
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2021-3-9MMBT4401LT1G
晶体管类型：NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：750mV @ 50mA，500mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 150mA，1V 功率 - 最大值：300mW 频率 - 跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC
2020-9-3MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：400mV @ 5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值：300mW 频率 - 跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3
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