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MMBF0201NLT1G价格
参考价格：￥0.4583
型号：MMBF0201NLT1G 品牌：ONSemi 备注：这里有MMBF0201NLT1G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBF0201NLT1G批发/采购报价，MMBF0201NLT1G行情走势销售排行榜，MMBF0201NLT1G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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MMBF0201NLT1G | N-Channel20V(D-S)MOSFET 文件：1.04864 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
MMBF0201NLT1G | PowerMOSFET300mAmps,20VoltsN?묬hannelSOT??3 文件：62.3 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
PowerMOSFET300mAmps,20Volts TheseminiaturesurfacemountMOSFETslowRDS(on)assureminimalpowerlossandconserveenergy,makingthesedevicesidealforuseinsmallpowermanagementcircuitry.Typicalapplicationsaredc−dcconverters,powermanagementinportableandbattery−poweredproductssuchascomputers,printers, | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
PowerMOSFET300mAmps,20VoltsN?묬hannelSOT??3 文件：62.3 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
MMBF0201NLT1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBF0201NLT1G
- 功能描述
MOSFET 20V 300mA N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-2-25
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