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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBD6050-V | SmallSignalSwitchingDiode 文件：116.9 Kbytes Page：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |  |   |
SmallSignalSwitchingDiode 文件：84.48 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
SmallSignalSwitchingDiode 文件：116.9 Kbytes Page：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
SmallSignalSwitchingDiode 文件：116.9 Kbytes Page：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | | | |
SINGLEPOLE,DOUBLETHROWCONNECTORIZEDSWITCHESWITHDIGITALCONNECTORS 文件：40.21 Kbytes Page：1 Pages | MICRONETICS Micronetics, Inc. |  | | |
LineSwitch,fitstoFelcom 文件：288.78 Kbytes Page：2 Pages | SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团 |  | | |
LineSwitch,fitstoFelcom 文件：160.17 Kbytes Page：2 Pages | SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团 | | | |
LineSwitch,fitstoFelcom 文件：188.07 Kbytes Page：3 Pages | SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团 | | | |
KompakteI/O-Module 文件：120.95 Kbytes Page：1 Pages | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商 |  | |
MMBD6050-V产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBD6050-V
- 制造商
Vishay Semiconductors
- 功能描述
Diode, Small Signal; 200 mA; 70 V(Min.) @ 25 degC(Reverse); 1.1 V(Max.); SOT-2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
6250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
PANJIT |
22+ |
SOD-323 |
18000 |
只做全新原装,支持BOM配单,假一罚十 |
|||
PANJIT/强茂 |
18+ |
SOD-323 |
30657 |
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
|||
BILIN |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
PANJIT |
23+ |
SOD-323 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
|||
mot |
23+ |
SOT23 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
ON |
24+ |
SOT-23 |
5000 |
公司存货 |
|||
PANJIT |
24+ |
SOD-323 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
VISHAY |
06+PB |
SOT-23 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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MMB02070C1960FB700
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2024-9-24MMA8652FCR1
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2023-4-10MMBD7000LT1G 开关二极管 SOT-23
现货100K品牌ON/安森美
2022-7-4MMA8652FCR1 加速计 3-axis 2g/4g/8g 12 bit
供应恩智浦原装现货MMA8652FCR1加速计3-axis2g/4g/8g12bit，DFN10
2022-3-28MMBD7000 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电订货型号，欢迎咨询！
MMBD7000CJ/长电SOT-23
2021-5-15MMBF4393LT1G
商品目录结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C时）- 漏源电压（Vdss）- 栅源极阈值电压- 漏源导通电阻- 类型N沟道 最大功率耗散（Ta=25°C）225mW
2020-11-12
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