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MMBC1009F1晶体管资料
MMBC1009F1别名：MMBC1009F1三极管、MMBC1009F1晶体管、MMBC1009F1晶体三极管
MMBC1009F1生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司
MMBC1009F1制作材料：
MMBC1009F1性质：低频或音频放大 （LF）_宽频带放大 （A）
MMBC1009F1封装形式：
MMBC1009F1极限工作电压：50V
MMBC1009F1最大电流允许值：0.05A
MMBC1009F1最大工作频率：<1MHZ或未知
MMBC1009F1引脚数：
MMBC1009F1最大耗散功率：0.3W
MMBC1009F1放大倍数：
MMBC1009F1图片代号：NO
MMBC1009F1vtest：50
MMBC1009F1htest：999900
- MMBC1009F1atest：0.05
MMBC1009F1wtest：0.3
MMBC1009F1代换 MMBC1009F1用什么型号代替：2SC1009F1,3DG120D,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBC1009F1 | AM/FM RF AMPLIFIER TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISOTR AM/FM RF AMPLIFIER TRANSISTOR | Samsung 三星 |   | |
NPN (AM/FM RF AMPLIFIER TRANSISTOR) AM/FM RF AMPLIFIER TRANSISTOR | Samsung 三星 | |
MMBC1009F1产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBC1009F1
- 制造商
SAMSUNG
- 制造商全称
Samsung semiconductor
- 功能描述
AM/FM RF AMPLIFIER TRANSISTOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
2450+ |
SOT23-3 |
6540 |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
|||
MOTO |
1997+ |
SOT23 |
64600 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
25+ |
20 |
公司优势库存 热卖中! |
|||||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
51000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
MOTO |
24+ |
SOT23 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
on |
24+ |
90000 |
|||||
MOTO |
24+ |
SOT23 |
25836 |
新到现货，只做全新原装正品 |
|||
MOTOROLA |
22+ |
SOT-23 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
100K库存ON |
20+ |
SOT23 |
49000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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MMBC1009F1规格书下载地址
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2024-9-24MMA8652FCR1
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2023-4-10MMBD7000LT1G 开关二极管 SOT-23
现货100K 品牌 ON/安森美
2022-7-4MMA8652FCR1 加速计 3-axis 2g/4g/8g 12 bit
供应恩智浦原装现货MMA8652FCR1 加速计 3-axis 2g/4g/8g 12 bit，DFN10
2022-3-28MMBD7000 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电订货型号，欢迎咨询！
MMBD7000 CJ/长电 SOT-23
2021-5-15MMBF4393LT1G
商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） - 漏源电压（Vdss） - 栅源极阈值电压 - 漏源导通电阻 - 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 225mW
2020-11-12
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