MMBA812M7晶体管资料

  • MMBA812M7别名:MMBA812M7三极管、MMBA812M7晶体管、MMBA812M7晶体三极管

  • MMBA812M7生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司

  • MMBA812M7制作材料

  • MMBA812M7性质:低频或音频放大 (LF)_通用 (G)

  • MMBA812M7封装形式

  • MMBA812M7极限工作电压:50V

  • MMBA812M7最大电流允许值:0.1A

  • MMBA812M7最大工作频率:<1MHZ或未知

  • MMBA812M7引脚数

  • MMBA812M7最大耗散功率:0.3W

  • MMBA812M7放大倍数

  • MMBA812M7图片代号:NO

  • MMBA812M7vtest:50

  • MMBA812M7htest:999900

  • MMBA812M7atest:0.1

  • MMBA812M7wtest:0.3

  • MMBA812M7代换 MMBA812M7用什么型号代替:2SA812M7,3CG120C,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MMBA812M7

PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

Samsung

三星

MMBA812M7

PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)

Samsung

三星

MMBA812M7产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBA812M7

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    PNP(GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)

更新时间:2025-9-26 22:59:00
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