MMBA812M6晶体管资料

  • MMBA812M6别名:MMBA812M6三极管、MMBA812M6晶体管、MMBA812M6晶体三极管

  • MMBA812M6生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司

  • MMBA812M6制作材料

  • MMBA812M6性质:低频或音频放大 (LF)_通用 (G)

  • MMBA812M6封装形式

  • MMBA812M6极限工作电压:50V

  • MMBA812M6最大电流允许值:0.1A

  • MMBA812M6最大工作频率:<1MHZ或未知

  • MMBA812M6引脚数

  • MMBA812M6最大耗散功率:0.3W

  • MMBA812M6放大倍数

  • MMBA812M6图片代号:NO

  • MMBA812M6vtest:50

  • MMBA812M6htest:999900

  • MMBA812M6atest:0.1

  • MMBA812M6wtest:0.3

  • MMBA812M6代换 MMBA812M6用什么型号代替:2SA812M6,3CG120C,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MMBA812M6

PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR(GeneralPurposeTransistor)

PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR GeneralPurposeTransistor

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

Samsung

MMBA812M6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBA812M6

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR(General Purpose Transistor)

更新时间:2025-7-24 23:00:00
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