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MMBA812M4晶体管资料
MMBA812M4别名：MMBA812M4三极管、MMBA812M4晶体管、MMBA812M4晶体三极管
MMBA812M4生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司
MMBA812M4制作材料：
MMBA812M4性质：低频或音频放大 （LF）_通用 （G）
MMBA812M4封装形式：
MMBA812M4极限工作电压：50V
MMBA812M4最大电流允许值：0.1A
MMBA812M4最大工作频率：<1MHZ或未知
MMBA812M4引脚数：
MMBA812M4最大耗散功率：0.3W
MMBA812M4放大倍数：
MMBA812M4图片代号：NO
MMBA812M4vtest：50
MMBA812M4htest：999900
- MMBA812M4atest：0.1
MMBA812M4wtest：0.3
MMBA812M4代换 MMBA812M4用什么型号代替：2SA812M4,3CG120C,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBA812M4 | PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR) GENERAL PURPOSE TRANSISTOR | Samsung 三星 |   |
MMBA812M4产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBA812M4
- 制造商
SAMSUNG
- 制造商全称
Samsung semiconductor
- 功能描述
PNP(GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)
更新时间：2025-8-10 20:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） - 漏源电压（Vdss） - 栅源极阈值电压 - 漏源导通电阻 - 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 225mW
2020-11-12
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