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MMBA811C7晶体管资料
MMBA811C7别名：MMBA811C7三极管、MMBA811C7晶体管、MMBA811C7晶体三极管
MMBA811C7生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司
MMBA811C7制作材料：
MMBA811C7性质：低频或音频放大 （LF）_通用 （G）
MMBA811C7封装形式：
MMBA811C7极限工作电压：50V
MMBA811C7最大电流允许值：0.05A
MMBA811C7最大工作频率：<1MHZ或未知
MMBA811C7引脚数：
MMBA811C7最大耗散功率：0.3W
MMBA811C7放大倍数：
MMBA811C7图片代号：NO
MMBA811C7vtest：50
MMBA811C7htest：999900
- MMBA811C7atest：0.05
MMBA811C7wtest：0.3
MMBA811C7代换 MMBA811C7用什么型号代替：2SA811C7,3CG120C,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBA811C7 | PNP (DRIVER TRANSISTOR) DRIVER TRANSISTOR | Samsung 三星 |   | |
MMBA811C7 | PNP (DRIVER TRANSISTOR) | Samsung 三星 | |
MMBA811C7产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBA811C7
- 制造商
SAMSUNG
- 制造商全称
Samsung semiconductor
- 功能描述
PNP(DRIVER TRANSISTOR)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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原装现货,特价销售 |
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MOTOROLA |
02+ |
940 |
优势货源原装正品 |
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SOT-23 |
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MOT |
2023+ |
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进口原装现货 |
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进口代理
2023-4-10MMBD7000LT1G 开关二极管 SOT-23
现货100K 品牌 ON/安森美
2022-7-4MMA8652FCR1 加速计 3-axis 2g/4g/8g 12 bit
供应恩智浦原装现货MMA8652FCR1 加速计 3-axis 2g/4g/8g 12 bit，DFN10
2022-3-28MMBD7000 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电订货型号，欢迎咨询！
MMBD7000 CJ/长电 SOT-23
2021-5-15MMBF4393LT1G
商品目录 结型场效应晶体管（JFET） 连续漏极电流（Id）（25°C 时） - 漏源电压（Vdss） - 栅源极阈值电压 - 漏源导通电阻 - 类型 N 沟道 最大功率耗散（Ta=25°C） 225mW
2020-11-12
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