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MMBA811C7晶体管资料
MMBA811C7别名：MMBA811C7三极管、MMBA811C7晶体管、MMBA811C7晶体三极管
MMBA811C7生产厂家：美国摩托罗拉半导体公司
MMBA811C7制作材料：
MMBA811C7性质：低频或音频放大 （LF）_通用 （G）
MMBA811C7封装形式：
MMBA811C7极限工作电压：50V
MMBA811C7最大电流允许值：0.05A
MMBA811C7最大工作频率：<1MHZ或未知
MMBA811C7引脚数：
MMBA811C7最大耗散功率：0.3W
MMBA811C7放大倍数：
MMBA811C7图片代号：NO
MMBA811C7vtest：50
MMBA811C7htest：999900
- MMBA811C7atest：0.05
MMBA811C7wtest：0.3
MMBA811C7代换 MMBA811C7用什么型号代替：2SA811C7,3CG120C,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBA811C7 | PNP(DRIVERTRANSISTOR) DRIVERTRANSISTOR | SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体 |  |   |
MMBA811C7产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBA811C7
- 制造商
SAMSUNG
- 制造商全称
Samsung semiconductor
- 功能描述
PNP(DRIVER TRANSISTOR)
更新时间：2025-7-23 17:39:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2020-11-12
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