MMBA811C6晶体管资料

  • MMBA811C6别名:MMBA811C6三极管、MMBA811C6晶体管、MMBA811C6晶体三极管

  • MMBA811C6生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司

  • MMBA811C6制作材料

  • MMBA811C6性质:低频或音频放大 (LF)_通用 (G)

  • MMBA811C6封装形式

  • MMBA811C6极限工作电压:50V

  • MMBA811C6最大电流允许值:0.05A

  • MMBA811C6最大工作频率:<1MHZ或未知

  • MMBA811C6引脚数

  • MMBA811C6最大耗散功率:0.3W

  • MMBA811C6放大倍数

  • MMBA811C6图片代号:NO

  • MMBA811C6vtest:50

  • MMBA811C6htest:999900

  • MMBA811C6atest:0.05

  • MMBA811C6wtest:0.3

  • MMBA811C6代换 MMBA811C6用什么型号代替:2SA811C6,3CG120C,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MMBA811C6

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR DRIVERTRANSISTOR

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半导体

Samsung

MMBA811C6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBA811C6

  • 制造商

    SAMSUNG

  • 制造商全称

    Samsung semiconductor

  • 功能描述

    PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

更新时间:2025-8-1 20:07:00
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